ထုတ်လုပ်သူထုတ်ကုန်နံပါတ်:
FQAF8N80
Product Overview
ထုတ်လုပ်သူ:
onsemi
အပိုင်းနံပါတ်:
FQAF8N80-DG
ဖေါ်ပြချက်:
MOSFET N-CH 800V 5.9A TO3PF
အသေးစိတ်ဖေါ်ပြချက်:
N-Channel 800 V 5.9A (Tc) 107W (Tc) Through Hole TO-3PF
စာရင်းထည့်သွင်းမှု:
12850481
ဈေးနှုန်းတောင်းဆိုပါ
ပမာဏ
အနိမ့္ဆုံး ၁
အနိမ့္ဆုံး ၁
k9Lz
(*) တစုံတရာအရေးပါသည်
ကျွန်ုပ်တို့သည် ၂၄ နာရီအတွင်း သင်နှင့် ပြန်လိုက်မည်
ကျွန်ုပ်တို့သည် ၂၄ နာရီအတွင်း သင်နှင့် ပြန်လိုက်မည်
တင်သွင်းမည်
FQAF8N80 နည်းပညာအထူးပြုချက်များ
အမျိုးအစား
FETs, MOSFETs, အထူး FETs, MOSFETs
ထုတ်လုပ်သူ
onsemi
ထုပ်ပိုးခြင်း
-
စီးရီးများ
QFET®
ထုတ်ကုန်အခြေအနေ
Obsolete
FET အမျိုးအစား
N-Channel
နည်းပညာ
MOSFET (Metal Oxide)
ရင်းမြစ် ဗောင့် (Vds) သို့ ထုတ်ယူပါ
800 V
လက်ရှိ - အဆက်မပြတ် ဒရင်း (id) @ 25°C
5.9A (Tc)
Drive Voltage (Max RdsOn, Max RdsOn)
10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
1.2Ohm @ 2.95A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
5V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
57 nC @ 10 V
Vggs (Max)
±30V
Input cpacance (Ciss) (Max) @ Vds
2350 pF @ 25 V
FET အသွင်အပြင်
-
လျှပ်စစ်ဓာတ်အား ပြတ်တောက်ခြင်း (မက်စ်)
107W (Tc)
လည်ပတ်နေသော အပူချိန်
-55°C ~ 150°C (TJ)
တောင်စောင်း အမျိုးအစား
Through Hole
ထောက်ပံ့ပေးသူကိရိယာ ပက်ကေ့ခ်ျ
TO-3PF
ပက်ကေ့ / အမှု
TO-3P-3 Full Pack
အခြေခံ ထုတ်ကုန် နံပါတ်
FQAF8
ဒေတာရွက်နှင့် құရစာရွက်များ
ဒေတာစာရွက်များ
HTML ဒေတာရှက်
ထပ်ဆောင်းအချက်အလက်
စံချိန်တင် ပက်ကေ့ခ်ျ
360
ပတ်ဝန်းကျင်နှင့် နဲ့ကုန်ထုတ်လုပ်မှုအနှိပ် အမျိုးအစား
စိုထိုင်းမှုအာရုံခံမှု အဆင့် (MSL)
1 (Unlimited)
အခြေအနေ
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
အခြားမော်ဒယ်များ
အစိတ်အပိုင်းနံပါတ်
IRFPE50PBF
ထုတ်လုပ်သူ
Vishay Siliconix
ရရှိနိုင်သည့် အရေအတွက်
353
DiGi အပိုင်းအမှတ်
IRFPE50PBF-DG
ယူနစ်စျေးနှုန်း
2.07
အစားထိုး အမျိုးအစား
Similar
DIGI Certification
သက်ဆိုင်ရာ မူလရောင်းအားများ
FQP8N90C
MOSFET N-CH 900V 6.3A TO220-3
AO5404EL
MOSFET N-CH 20V 500MA SC89-3
FDFME3N311ZT
MOSFET N-CH 30V 1.8A 6MICROFET
