ထုတ်လုပ်သူထုတ်ကုန်နံပါတ်:
FQP8N90C
Product Overview
ထုတ်လုပ်သူ:
onsemi
အပိုင်းနံပါတ်:
FQP8N90C-DG
ဖေါ်ပြချက်:
MOSFET N-CH 900V 6.3A TO220-3
အသေးစိတ်ဖေါ်ပြချက်:
N-Channel 900 V 6.3A (Tc) 171W (Tc) Through Hole TO-220-3
စာရင်းထည့်သွင်းမှု:
12850483
ဈေးနှုန်းတောင်းဆိုပါ
ပမာဏ
အနိမ့္ဆုံး ၁
အနိမ့္ဆုံး ၁
(*) တစုံတရာအရေးပါသည်
ကျွန်ုပ်တို့သည် ၂၄ နာရီအတွင်း သင်နှင့် ပြန်လိုက်မည်
ကျွန်ုပ်တို့သည် ၂၄ နာရီအတွင်း သင်နှင့် ပြန်လိုက်မည်
တင်သွင်းမည်
FQP8N90C နည်းပညာအထူးပြုချက်များ
အမျိုးအစား
FETs, MOSFETs, အထူး FETs, MOSFETs
ထုတ်လုပ်သူ
onsemi
ထုပ်ပိုးခြင်း
-
စီးရီးများ
QFET®
ထုတ်ကုန်အခြေအနေ
Obsolete
FET အမျိုးအစား
N-Channel
နည်းပညာ
MOSFET (Metal Oxide)
ရင်းမြစ် ဗောင့် (Vds) သို့ ထုတ်ယူပါ
900 V
လက်ရှိ - အဆက်မပြတ် ဒရင်း (id) @ 25°C
6.3A (Tc)
Drive Voltage (Max RdsOn, Max RdsOn)
10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
1.9Ohm @ 3.15A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
5V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
45 nC @ 10 V
Vggs (Max)
±30V
Input cpacance (Ciss) (Max) @ Vds
2080 pF @ 25 V
FET အသွင်အပြင်
-
လျှပ်စစ်ဓာတ်အား ပြတ်တောက်ခြင်း (မက်စ်)
171W (Tc)
လည်ပတ်နေသော အပူချိန်
-55°C ~ 150°C (TJ)
တောင်စောင်း အမျိုးအစား
Through Hole
ထောက်ပံ့ပေးသူကိရိယာ ပက်ကေ့ခ်ျ
TO-220-3
ပက်ကေ့ / အမှု
TO-220-3
အခြေခံ ထုတ်ကုန် နံပါတ်
FQP8
ဒေတာရွက်နှင့် құရစာရွက်များ
ဒေတာစာရွက်များ
ထပ်ဆောင်းအချက်အလက်
စံချိန်တင် ပက်ကေ့ခ်ျ
1,000
ပတ်ဝန်းကျင်နှင့် နဲ့ကုန်ထုတ်လုပ်မှုအနှိပ် အမျိုးအစား
RoHS အခြေအနေ
ROHS3 Compliant
စိုထိုင်းမှုအာရုံခံမှု အဆင့် (MSL)
Not Applicable
အခြေအနေ
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
အခြားမော်ဒယ်များ
အစိတ်အပိုင်းနံပါတ်
STP6NK90Z
ထုတ်လုပ်သူ
STMicroelectronics
ရရှိနိုင်သည့် အရေအတွက်
990
DiGi အပိုင်းအမှတ်
STP6NK90Z-DG
ယူနစ်စျေးနှုန်း
1.41
အစားထိုး အမျိုးအစား
Similar
အစိတ်အပိုင်းနံပါတ်
IXTP6N100D2
ထုတ်လုပ်သူ
IXYS
ရရှိနိုင်သည့် အရေအတွက်
395
DiGi အပိုင်းအမှတ်
IXTP6N100D2-DG
ယူနစ်စျေးနှုန်း
4.59
အစားထိုး အမျိုးအစား
Similar
DIGI Certification
သက်ဆိုင်ရာ မူလရောင်းအားများ
AO5404EL
MOSFET N-CH 20V 500MA SC89-3
FDFME3N311ZT
MOSFET N-CH 30V 1.8A 6MICROFET
HUFA76409D3ST
MOSFET N-CH 60V 18A TO252AA
