ထုတ်လုပ်သူထုတ်ကုန်နံပါတ်:
SUP90N06-5M0P-E3
Product Overview
ထုတ်လုပ်သူ:
Vishay Siliconix
အပိုင်းနံပါတ်:
SUP90N06-5M0P-E3-DG
ဖေါ်ပြချက်:
MOSFET N-CH 60V 90A TO220AB
အသေးစိတ်ဖေါ်ပြချက်:
N-Channel 60 V 90A (Tc) 3.75W (Ta), 300W (Tc) Through Hole TO-220AB
စာရင်းထည့်သွင်းမှု:
12787182
ဈေးနှုန်းတောင်းဆိုပါ
ပမာဏ
အနိမ့္ဆုံး ၁
အနိမ့္ဆုံး ၁
ttLO
(*) တစုံတရာအရေးပါသည်
ကျွန်ုပ်တို့သည် ၂၄ နာရီအတွင်း သင်နှင့် ပြန်လိုက်မည်
ကျွန်ုပ်တို့သည် ၂၄ နာရီအတွင်း သင်နှင့် ပြန်လိုက်မည်
တင်သွင်းမည်
SUP90N06-5M0P-E3 နည်းပညာအထူးပြုချက်များ
အမျိုးအစား
FETs, MOSFETs, အထူး FETs, MOSFETs
ထုတ်လုပ်သူ
Vishay
ထုပ်ပိုးခြင်း
-
စီးရီးများ
TrenchFET®
ထုတ်ကုန်အခြေအနေ
Obsolete
FET အမျိုးအစား
N-Channel
နည်းပညာ
MOSFET (Metal Oxide)
ရင်းမြစ် ဗောင့် (Vds) သို့ ထုတ်ယူပါ
60 V
လက်ရှိ - အဆက်မပြတ် ဒရင်း (id) @ 25°C
90A (Tc)
Drive Voltage (Max RdsOn, Max RdsOn)
10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
5mOhm @ 20A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4.5V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
160 nC @ 10 V
Vggs (Max)
±20V
Input cpacance (Ciss) (Max) @ Vds
6190 pF @ 30 V
FET အသွင်အပြင်
-
လျှပ်စစ်ဓာတ်အား ပြတ်တောက်ခြင်း (မက်စ်)
3.75W (Ta), 300W (Tc)
လည်ပတ်နေသော အပူချိန်
-55°C ~ 175°C (TJ)
တောင်စောင်း အမျိုးအစား
Through Hole
ထောက်ပံ့ပေးသူကိရိယာ ပက်ကေ့ခ်ျ
TO-220AB
ပက်ကေ့ / အမှု
TO-220-3
အခြေခံ ထုတ်ကုန် နံပါတ်
SUP90
ဒေတာရွက်နှင့် құရစာရွက်များ
ဒေတာစာရွက်များ
HTML ဒေတာရှက်
ထပ်ဆောင်းအချက်အလက်
အခြားအမည်များ
SUP90N06-5M0P-E3DKR-DG
SUP90N065M0PE3
SUP90N06-5M0P-E3TRINACTIVE
SUP90N06-5M0P-E3DKR
SUP90N06-5M0P-E3TR-DG
SUP90N06-5M0P-E3DKRINACTIVE
SUP90N06-5M0P-E3CT-DG
SUP90N06-5M0P-E3TR
SUP90N06-5M0P-E3CT
စံချိန်တင် ပက်ကေ့ခ်ျ
1
ပတ်ဝန်းကျင်နှင့် နဲ့ကုန်ထုတ်လုပ်မှုအနှိပ် အမျိုးအစား
RoHS အခြေအနေ
ROHS3 Compliant
စိုထိုင်းမှုအာရုံခံမှု အဆင့် (MSL)
1 (Unlimited)
အခြေအနေ
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
အခြားမော်ဒယ်များ
အစိတ်အပိုင်းနံပါတ်
AOT266L
ထုတ်လုပ်သူ
Alpha & Omega Semiconductor Inc.
ရရှိနိုင်သည့် အရေအတွက်
758
DiGi အပိုင်းအမှတ်
AOT266L-DG
ယူနစ်စျေးနှုန်း
0.90
အစားထိုး အမျိုးအစား
MFR Recommended
အစိတ်အပိုင်းနံပါတ်
PSMN4R6-60PS,127
ထုတ်လုပ်သူ
Nexperia USA Inc.
ရရှိနိုင်သည့် အရေအတွက်
7843
DiGi အပိုင်းအမှတ်
PSMN4R6-60PS,127-DG
ယူနစ်စျေးနှုန်း
1.15
အစားထိုး အမျိုးအစား
MFR Recommended
အစိတ်အပိုင်းနံပါတ်
N0602N-S19-AY
ထုတ်လုပ်သူ
Renesas Electronics Corporation
ရရှိနိုင်သည့် အရေအတွက်
2906
DiGi အပိုင်းအမှတ်
N0602N-S19-AY-DG
ယူနစ်စျေးနှုန်း
1.03
အစားထိုး အမျိုးအစား
MFR Recommended
အစိတ်အပိုင်းနံပါတ်
IRFB3306PBF
ထုတ်လုပ်သူ
Infineon Technologies
ရရှိနိုင်သည့် အရေအတွက်
5368
DiGi အပိုင်းအမှတ်
IRFB3306PBF-DG
ယူနစ်စျေးနှုန်း
0.71
အစားထိုး အမျိုးအစား
MFR Recommended
အစိတ်အပိုင်းနံပါတ်
SUP90N06-6M0P-E3
ထုတ်လုပ်သူ
Vishay Siliconix
ရရှိနိုင်သည့် အရေအတွက်
581
DiGi အပိုင်းအမှတ်
SUP90N06-6M0P-E3-DG
ယူနစ်စျေးနှုန်း
1.30
အစားထိုး အမျိုးအစား
MFR Recommended
DIGI Certification
သက်ဆိုင်ရာ မူလရောင်းအားများ
SUM27N20-78-E3
MOSFET N-CH 200V 27A TO263
SIRA64DP-T1-GE3
MOSFET N-CH 30V 60A PPAK SO-8
SIR668ADP-T1-RE3
MOSFET N-CH 100V 93.6A PPAK SO-8
