ထုတ်လုပ်သူထုတ်ကုန်နံပါတ်:
SQJ412EP-T1_GE3
Product Overview
ထုတ်လုပ်သူ:
Vishay Siliconix
အပိုင်းနံပါတ်:
SQJ412EP-T1_GE3-DG
ဖေါ်ပြချက်:
MOSFET N-CH 40V 32A PPAK SO-8
အသေးစိတ်ဖေါ်ပြချက်:
N-Channel 40 V 32A (Tc) 83W (Tc) Surface Mount PowerPAK® SO-8
စာရင်းထည့်သွင်းမှု:
24798 ပစ္စည်း အသစ် မူရင်း ရှိသည်
12916561
ဈေးနှုန်းတောင်းဆိုပါ
ပမာဏ
အနိမ့္ဆုံး ၁
အနိမ့္ဆုံး ၁
zoyv
(*) တစုံတရာအရေးပါသည်
ကျွန်ုပ်တို့သည် ၂၄ နာရီအတွင်း သင်နှင့် ပြန်လိုက်မည်
ကျွန်ုပ်တို့သည် ၂၄ နာရီအတွင်း သင်နှင့် ပြန်လိုက်မည်
တင်သွင်းမည်
SQJ412EP-T1_GE3 နည်းပညာအထူးပြုချက်များ
အမျိုးအစား
FETs, MOSFETs, အထူး FETs, MOSFETs
ထုတ်လုပ်သူ
Vishay
ထုပ်ပိုးခြင်း
Tape & Reel (TR)
စီးရီးများ
TrenchFET®
ထုတ်ကုန်အခြေအနေ
Active
FET အမျိုးအစား
N-Channel
နည်းပညာ
MOSFET (Metal Oxide)
ရင်းမြစ် ဗောင့် (Vds) သို့ ထုတ်ယူပါ
40 V
လက်ရှိ - အဆက်မပြတ် ဒရင်း (id) @ 25°C
32A (Tc)
Drive Voltage (Max RdsOn, Max RdsOn)
4.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
4.1mOhm @ 10.3A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
2.5V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
120 nC @ 10 V
Vggs (Max)
±20V
Input cpacance (Ciss) (Max) @ Vds
5950 pF @ 20 V
FET အသွင်အပြင်
-
လျှပ်စစ်ဓာတ်အား ပြတ်တောက်ခြင်း (မက်စ်)
83W (Tc)
လည်ပတ်နေသော အပူချိန်
-55°C ~ 175°C (TJ)
အဆင့်
Automotive
အရည်အချင်းပြည့်မီခြင်း
AEC-Q101
တောင်စောင်း အမျိုးအစား
Surface Mount
ထောက်ပံ့ပေးသူကိရိယာ ပက်ကေ့ခ်ျ
PowerPAK® SO-8
ပက်ကေ့ / အမှု
PowerPAK® SO-8
အခြေခံ ထုတ်ကုန် နံပါတ်
SQJ412
ဒေတာရွက်နှင့် құရစာရွက်များ
ဒေတာစာရွက်များ
HTML ဒေတာရှက်
ထပ်ဆောင်းအချက်အလက်
အခြားအမည်များ
SQJ412EP-T1_GE3DKR
SQJ412EP-T1-GE3TR-DG
SQJ412EP-T1-GE3-DG
SQJ412EP-T1-GE3CT-DG
SQJ412EP-T1-GE3
SQJ412EPT1GE3
SQJ412EP-T1_GE3TR
SQJ412EP-T1-GE3DKR
SQJ412EP-T1-GE3DKR-DG
SQJ412EP-T1-GE3TR
SQJ412EP-T1-GE3CT
SQJ412EP-T1_GE3CT
စံချိန်တင် ပက်ကေ့ခ်ျ
3,000
ပတ်ဝန်းကျင်နှင့် နဲ့ကုန်ထုတ်လုပ်မှုအနှိပ် အမျိုးအစား
RoHS အခြေအနေ
ROHS3 Compliant
စိုထိုင်းမှုအာရုံခံမှု အဆင့် (MSL)
1 (Unlimited)
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
DIGI Certification
သက်ဆိုင်ရာ မူလရောင်းအားများ
SUD40N04-10A-E3
MOSFET N-CH 40V 40A TO252
SQ4435EY-T1_GE3
MOSFET P-CHANNEL 30V 15A 8SOIC
SIDR680DP-T1-GE3
MOSFET N-CH 80V 32.8A/100A PPAK
