ထုတ်လုပ်သူထုတ်ကုန်နံပါတ်:
SQ9945AEY-T1-E3
Product Overview
ထုတ်လုပ်သူ:
Vishay Siliconix
အပိုင်းနံပါတ်:
SQ9945AEY-T1-E3-DG
ဖေါ်ပြချက်:
MOSFET 2N-CH 60V 3.7A 8SOIC
အသေးစိတ်ဖေါ်ပြချက်:
Mosfet Array 60V 3.7A 2.4W Surface Mount 8-SOIC
စာရင်းထည့်သွင်းမှု:
12915857
ဈေးနှုန်းတောင်းဆိုပါ
ပမာဏ
အနိမ့္ဆုံး ၁
အနိမ့္ဆုံး ၁
0wKx
(*) တစုံတရာအရေးပါသည်
ကျွန်ုပ်တို့သည် ၂၄ နာရီအတွင်း သင်နှင့် ပြန်လိုက်မည်
ကျွန်ုပ်တို့သည် ၂၄ နာရီအတွင်း သင်နှင့် ပြန်လိုက်မည်
တင်သွင်းမည်
SQ9945AEY-T1-E3 နည်းပညာအထူးပြုချက်များ
အမျိုးအစား
FETs, MOSFETs, FET, MOSFET အစုများ
ထုတ်လုပ်သူ
Vishay
ထုပ်ပိုးခြင်း
-
စီးရီးများ
TrenchFET®
ထုတ်ကုန်အခြေအနေ
Obsolete
နည်းပညာ
MOSFET (Metal Oxide)
ဖွဲ့စည်းတည်ဆောက်ခြင်း
2 N-Channel (Dual)
FET အသွင်အပြင်
Logic Level Gate
ရင်းမြစ် ဗောင့် (Vds) သို့ ထုတ်ယူပါ
60V
လက်ရှိ - အဆက်မပြတ် ဒရင်း (id) @ 25°C
3.7A
Rds On (Max) @ Id, Vgs
80mOhm @ 3.7A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
3V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
20nC @ 10V
Input cpacance (Ciss) (Max) @ Vds
-
စွမ်းအင် - Max
2.4W
လည်ပတ်နေသော အပူချိန်
-55°C ~ 175°C (TJ)
တောင်စောင်း အမျိုးအစား
Surface Mount
ပက်ကေ့ / အမှု
8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
ထောက်ပံ့ပေးသူကိရိယာ ပက်ကေ့ခ်ျ
8-SOIC
အခြေခံ ထုတ်ကုန် နံပါတ်
SQ9945
ဒေတာရွက်နှင့် құရစာရွက်များ
ဒေတာစာရွက်များ
HTML ဒေတာရှက်
ထပ်ဆောင်းအချက်အလက်
စံချိန်တင် ပက်ကေ့ခ်ျ
2,500
ပတ်ဝန်းကျင်နှင့် နဲ့ကုန်ထုတ်လုပ်မှုအနှိပ် အမျိုးအစား
RoHS အခြေအနေ
ROHS3 Compliant
စိုထိုင်းမှုအာရုံခံမှု အဆင့် (MSL)
1 (Unlimited)
အခြေအနေ
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
အခြားမော်ဒယ်များ
အစိတ်အပိုင်းနံပါတ်
IRF7103TRPBF
ထုတ်လုပ်သူ
Infineon Technologies
ရရှိနိုင်သည့် အရေအတွက်
9567
DiGi အပိုင်းအမှတ်
IRF7103TRPBF-DG
ယူနစ်စျေးနှုန်း
0.29
အစားထိုး အမျိုးအစား
MFR Recommended
DIGI Certification
သက်ဆိုင်ရာ မူလရောင်းအားများ
SIZ720DT-T1-GE3
MOSFET 2N-CH 20V 16A 6POWERPAIR
SI4910DY-T1-E3
MOSFET 2N-CH 40V 7.6A 8SOIC
SIA911DJ-T1-GE3
MOSFET 2P-CH 20V 4.5A SC70-6
