မူလစာမျက်နှာ
ထုတ်ကုန်များ
ထုတ်လုပ်သူများ
DiGi အကြောင်း
ဆက်သွယ်ပါ
ബ്ലോഗുകൾ & പോസ്റ്റുകൾ
RFQ/နှုန်းနှောင့်
Myanmar
စာရင်းဝင်ပါ
ရွေးချယ်စကားမြန်
သင်ရွေးချယ်ထားသောဘာသာစကား ကာလ
Myanmar
အပြောင်းအလှယ်:
အင်္ဂလိပ်
ဥရောပ
ယူနိုက်တက်ကင်းဒမ်း
ပြင်သစ်
စပိန်
တူရကီ
မော်လ်ဒိုဗာ
လစ်သူယေးနီးယား
နော်ဝေး
ဂျာမန်ဏီ
ပေါ်တူဂီ
စလိုဗက်ကီးယား
ltaly
ဖင်လန်
ရုရှား ဘာသာစကား
ဘူဂေးရီးယား
ဒိန်းမတ်
အက်စ်တိုးနီးယား
ပိုလန်
ယူကရိန်း
ဆလိုဗေးနီးယား
ချက်
ဂရိ
ခရိုအေးရှား
အစ္စရေး
ဆားဘီးယား
ဘီလာရုစ်
နယ်သာလန်
ဆွီဒင်နိုင်ငံ
မွန်တီနီဂရို
ဘစ်လ်
အိုက်စလန်
ဘော့စနီးယား
ဟန်ဂရီရန်
ရိုမေးနီးယား
သြစတြီးယား
ဘယ်လ်ဂျီယံ
အိုင်ယာလန်
အာ ရှ / ပစိဖိတ်
တရုတ်
ဗီယက်နမ်
အင်ဒိုနီးရှား
ထိုင်းနိုင်ငံ
လာအို
ဖိလစ်ပိုင်
မလေးရှား
ကိုရီးယား
ဂျပန်
ဟောင်ကောင်
ထိုင်ဝမ်
စင်္ကာပူ
ပါကစ္စတန်
ဆော်ဒီအာရေဗျ
ကာတာ
ကူဝိတ်
ကမ္ဘောဒီးယား
မြန်မာ
အာဖရိက၊ အိန္ဒိယနှင့် အရှေ့အလယ်ပိုင်း
ယူအေအီး
တာဂျစ်ကစ္စတန်
မာဒါဂက်စကာ
အိန္ဒိယ
အီရန်
DR ကွန်ဂို
တောင်အာဖရိက
အီဂျစ်
ကင်ညာ
တန်ဇန်းနီးယား
ဂါ နာ
စီ နီ ဂဲ လ်
မော်ရိုကို
တူနီးရှား
တောင် အ မေ ရိ က / အို စီ ယာ နီး ယား
နယူးဇီလန်
အင် ဂို လာ
ဘရာဇီး
မို ဇမ် ဘ စ်
ပီရူး
ကိုလံဘီယာ
ချီလီ
ဗင်နီဇွဲလား
အီကွေဒေါ
ဘိုလီးဗီးယား
ဥရုဂွေး
အာဂျင်တီးနား
ပါရာဂွေး
သြစတြေးလျ
မြောက် အမေရိက
အမေရိကန်
ဟေ တီ
ကနေဒါ
ကော့စတာရီကာ
မက္ကစီကို
DiGi အကြောင်း
ကျွန်ုပ်တို့အကြောင်း
ကျွန်ုပ်တို့အကြောင်း
ကျွန်ုပ်တို့၏လက္ခဏာများ
DiGi အဖွင့်စာမျက်နှာ
ဘာ이크 သော DiGi
နည်းစနစ်
အရည်အသွေး သုံးသပ်ချက်
အသုံးပြုမှု စည်းမျဉ်းများ
RoHS အညွှန်း
RETURN PROCESS
အရင်းအမြစ်များ
ထုတ်ကုန်အမျိုးအစားများ
ထုတ်လုပ်သူများ
ബ്ലോഗുകൾ & പോസ്റ്റുകൾ
ဝန်ဆောင်မှုများ
အရည်အသွေး မာတိကာ
ငွေပေးချေမှုနည်းလမ်း
ကမ္ဘာလုံးဆိုင်ရာ သယ်ဆောင်မှု
ကုန်ပစ္စည်းပို့ဆောင်မှုအခွန်များ
မေးခွန်းများ
ထုတ်လုပ်သူထုတ်ကုန်နံပါတ်:
SIHG17N60D-E3
Product Overview
ထုတ်လုပ်သူ:
Vishay Siliconix
အပိုင်းနံပါတ်:
SIHG17N60D-E3-DG
ဖေါ်ပြချက်:
MOSFET N-CH 600V 17A TO247AC
အသေးစိတ်ဖေါ်ပြချက်:
N-Channel 600 V 17A (Tc) 277.8W (Tc) Through Hole TO-247AC
စာရင်းထည့်သွင်းမှု:
RFQ အြန္လိုင္း
12787351
ဈေးနှုန်းတောင်းဆိုပါ
ပမာဏ
အနိမ့္ဆုံး ၁
*
ကုမ္ပဏီ
*
ဆက်သွယ်ရန်အမည်
*
ဖုန်း
*
အီးမေးလ်
ပို့ဆောင်ရန် လိပ်စာ
သတင်းစာ
r
a
W
3
(
*
) တစုံတရာအရေးပါသည်
ကျွန်ုပ်တို့သည် ၂၄ နာရီအတွင်း သင်နှင့် ပြန်လိုက်မည်
တင်သွင်းမည်
SIHG17N60D-E3 နည်းပညာအထူးပြုချက်များ
အမျိုးအစား
FETs, MOSFETs, အထူး FETs, MOSFETs
ထုတ်လုပ်သူ
Vishay
ထုပ်ပိုးခြင်း
Tube
စီးရီးများ
-
ထုတ်ကုန်အခြေအနေ
Active
FET အမျိုးအစား
N-Channel
နည်းပညာ
MOSFET (Metal Oxide)
ရင်းမြစ် ဗောင့် (Vds) သို့ ထုတ်ယူပါ
600 V
လက်ရှိ - အဆက်မပြတ် ဒရင်း (id) @ 25°C
17A (Tc)
Drive Voltage (Max RdsOn, Max RdsOn)
10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
340mOhm @ 8A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
5V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
90 nC @ 10 V
Vggs (Max)
±30V
Input cpacance (Ciss) (Max) @ Vds
1780 pF @ 100 V
FET အသွင်အပြင်
-
လျှပ်စစ်ဓာတ်အား ပြတ်တောက်ခြင်း (မက်စ်)
277.8W (Tc)
လည်ပတ်နေသော အပူချိန်
-55°C ~ 150°C (TJ)
တောင်စောင်း အမျိုးအစား
Through Hole
ထောက်ပံ့ပေးသူကိရိယာ ပက်ကေ့ခ်ျ
TO-247AC
ပက်ကေ့ / အမှု
TO-247-3
အခြေခံ ထုတ်ကုန် နံပါတ်
SIHG17
ဒေတာရွက်နှင့် құရစာရွက်များ
ဒေတာစာရွက်များ
SIHG17N60D-E3
HTML ဒေတာရှက်
SIHG17N60D-E3-DG
ထပ်ဆောင်းအချက်အလက်
အခြားအမည်များ
SIHG17N60D-E3CT
SIHG17N60D-E3CT-DG
စံချိန်တင် ပက်ကေ့ခ်ျ
500
ပတ်ဝန်းကျင်နှင့် နဲ့ကုန်ထုတ်လုပ်မှုအနှိပ် အမျိုးအစား
RoHS အခြေအနေ
ROHS3 Compliant
စိုထိုင်းမှုအာရုံခံမှု အဆင့် (MSL)
1 (Unlimited)
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
အခြားမော်ဒယ်များ
အစိတ်အပိုင်းနံပါတ်
IXFH22N60P
ထုတ်လုပ်သူ
IXYS
ရရှိနိုင်သည့် အရေအတွက်
0
DiGi အပိုင်းအမှတ်
IXFH22N60P-DG
ယူနစ်စျေးနှုန်း
5.01
အစားထိုး အမျိုးအစား
MFR Recommended
DIGI Certification
သက်ဆိုင်ရာ မူလရောင်းအားများ
SIR482DP-T1-GE3
MOSFET N-CH 30V 35A PPAK SO-8
SIHP11N80E-GE3
MOSFET N-CH 800V 12A TO220AB
SISA96DN-T1-GE3
MOSFET N-CH 30V 16A PPAK1212-8
SIA408DJ-T1-GE3
MOSFET N-CH 30V 4.5A PPAK SC70-6