ထုတ်လုပ်သူထုတ်ကုန်နံပါတ်:
SI7629DN-T1-GE3
Product Overview
ထုတ်လုပ်သူ:
Vishay Siliconix
အပိုင်းနံပါတ်:
SI7629DN-T1-GE3-DG
ဖေါ်ပြချက်:
MOSFET P-CH 20V 35A PPAK1212-8
အသေးစိတ်ဖေါ်ပြချက်:
P-Channel 20 V 35A (Tc) 3.7W (Ta), 52W (Tc) Surface Mount PowerPAK® 1212-8
စာရင်းထည့်သွင်းမှု:
24057 ပစ္စည်း အသစ် မူရင်း ရှိသည်
12916167
ဈေးနှုန်းတောင်းဆိုပါ
ပမာဏ
အနိမ့္ဆုံး ၁
အနိမ့္ဆုံး ၁
Tpyi
(*) တစုံတရာအရေးပါသည်
ကျွန်ုပ်တို့သည် ၂၄ နာရီအတွင်း သင်နှင့် ပြန်လိုက်မည်
ကျွန်ုပ်တို့သည် ၂၄ နာရီအတွင်း သင်နှင့် ပြန်လိုက်မည်
တင်သွင်းမည်
SI7629DN-T1-GE3 နည်းပညာအထူးပြုချက်များ
အမျိုးအစား
FETs, MOSFETs, အထူး FETs, MOSFETs
ထုတ်လုပ်သူ
Vishay
ထုပ်ပိုးခြင်း
Tape & Reel (TR)
စီးရီးများ
TrenchFET®
ထုတ်ကုန်အခြေအနေ
Active
FET အမျိုးအစား
P-Channel
နည်းပညာ
MOSFET (Metal Oxide)
ရင်းမြစ် ဗောင့် (Vds) သို့ ထုတ်ယူပါ
20 V
လက်ရှိ - အဆက်မပြတ် ဒရင်း (id) @ 25°C
35A (Tc)
Drive Voltage (Max RdsOn, Max RdsOn)
2.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
4.6mOhm @ 20A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
1.5V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
177 nC @ 10 V
Vggs (Max)
±12V
Input cpacance (Ciss) (Max) @ Vds
5790 pF @ 10 V
FET အသွင်အပြင်
-
လျှပ်စစ်ဓာတ်အား ပြတ်တောက်ခြင်း (မက်စ်)
3.7W (Ta), 52W (Tc)
လည်ပတ်နေသော အပူချိန်
-55°C ~ 150°C (TJ)
တောင်စောင်း အမျိုးအစား
Surface Mount
ထောက်ပံ့ပေးသူကိရိယာ ပက်ကေ့ခ်ျ
PowerPAK® 1212-8
ပက်ကေ့ / အမှု
PowerPAK® 1212-8
အခြေခံ ထုတ်ကုန် နံပါတ်
SI7629
ဒေတာရွက်နှင့် құရစာရွက်များ
ဒေတာစာရွက်များ
HTML ဒေတာရှက်
ထပ်ဆောင်းအချက်အလက်
အခြားအမည်များ
SI7629DN-T1-GE3TR
SI7629DN-T1-GE3CT
SI7629DN-T1-GE3DKR
SI7629DNT1GE3
စံချိန်တင် ပက်ကေ့ခ်ျ
3,000
ပတ်ဝန်းကျင်နှင့် နဲ့ကုန်ထုတ်လုပ်မှုအနှိပ် အမျိုးအစား
RoHS အခြေအနေ
ROHS3 Compliant
စိုထိုင်းမှုအာရုံခံမှု အဆင့် (MSL)
1 (Unlimited)
အခြေအနေ
REACH info available upon request
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
DIGI Certification
သက်ဆိုင်ရာ မူလရောင်းအားများ
SI6415DQ-T1-E3
MOSFET P-CH 30V 6.5A 8TSSOP
SI3437DV-T1-E3
MOSFET P-CH 150V 1.4A 6TSOP
SI7113ADN-T1-GE3
MOSFET P-CH 100V 10.8A PPAK
