ထုတ်လုပ်သူထုတ်ကုန်နံပါတ်:
SI7456DP-T1-GE3
Product Overview
ထုတ်လုပ်သူ:
Vishay Siliconix
အပိုင်းနံပါတ်:
SI7456DP-T1-GE3-DG
ဖေါ်ပြချက်:
MOSFET N-CH 100V 5.7A PPAK SO-8
အသေးစိတ်ဖေါ်ပြချက်:
N-Channel 100 V 5.7A (Ta) 1.9W (Ta) Surface Mount PowerPAK® SO-8
စာရင်းထည့်သွင်းမှု:
12918599
ဈေးနှုန်းတောင်းဆိုပါ
ပမာဏ
အနိမ့္ဆုံး ၁
အနိမ့္ဆုံး ၁
jHwG
(*) တစုံတရာအရေးပါသည်
ကျွန်ုပ်တို့သည် ၂၄ နာရီအတွင်း သင်နှင့် ပြန်လိုက်မည်
ကျွန်ုပ်တို့သည် ၂၄ နာရီအတွင်း သင်နှင့် ပြန်လိုက်မည်
တင်သွင်းမည်
SI7456DP-T1-GE3 နည်းပညာအထူးပြုချက်များ
အမျိုးအစား
FETs, MOSFETs, အထူး FETs, MOSFETs
ထုတ်လုပ်သူ
Vishay
ထုပ်ပိုးခြင်း
Tape & Reel (TR)
စီးရီးများ
TrenchFET®
ထုတ်ကုန်အခြေအနေ
Active
FET အမျိုးအစား
N-Channel
နည်းပညာ
MOSFET (Metal Oxide)
ရင်းမြစ် ဗောင့် (Vds) သို့ ထုတ်ယူပါ
100 V
လက်ရှိ - အဆက်မပြတ် ဒရင်း (id) @ 25°C
5.7A (Ta)
Drive Voltage (Max RdsOn, Max RdsOn)
6V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
25mOhm @ 9.3A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
44 nC @ 10 V
Vggs (Max)
±20V
FET အသွင်အပြင်
-
လျှပ်စစ်ဓာတ်အား ပြတ်တောက်ခြင်း (မက်စ်)
1.9W (Ta)
လည်ပတ်နေသော အပူချိန်
-55°C ~ 150°C (TJ)
တောင်စောင်း အမျိုးအစား
Surface Mount
ထောက်ပံ့ပေးသူကိရိယာ ပက်ကေ့ခ်ျ
PowerPAK® SO-8
ပက်ကေ့ / အမှု
PowerPAK® SO-8
အခြေခံ ထုတ်ကုန် နံပါတ်
SI7456
ဒေတာရွက်နှင့် құရစာရွက်များ
ဒေတာစာရွက်များ
HTML ဒေတာရှက်
ထပ်ဆောင်းအချက်အလက်
အခြားအမည်များ
SI7456DPT1GE3
SI7456DP-T1-GE3CT
SI7456DP-T1-GE3TR
SI7456DP-T1-GE3DKR
စံချိန်တင် ပက်ကေ့ခ်ျ
3,000
ပတ်ဝန်းကျင်နှင့် နဲ့ကုန်ထုတ်လုပ်မှုအနှိပ် အမျိုးအစား
RoHS အခြေအနေ
ROHS3 Compliant
စိုထိုင်းမှုအာရုံခံမှု အဆင့် (MSL)
1 (Unlimited)
အခြေအနေ
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
အခြားမော်ဒယ်များ
အစိတ်အပိုင်းနံပါတ်
FDMS86105
ထုတ်လုပ်သူ
onsemi
ရရှိနိုင်သည့် အရေအတွက်
23647
DiGi အပိုင်းအမှတ်
FDMS86105-DG
ယူနစ်စျေးနှုန်း
0.73
အစားထိုး အမျိုးအစား
MFR Recommended
DIGI Certification
သက်ဆိုင်ရာ မူလရောင်းအားများ
SIHD240N60E-GE3
MOSFET N-CH 600V 12A DPAK
SIHH14N65E-T1-GE3
MOSFET N-CH 650V 15A PPAK 8 X 8
SI8489EDB-T2-E1
MOSFET P-CH 20V 4MICROFOOT
