ထုတ်လုပ်သူထုတ်ကုန်နံပါတ်:
SI5482DU-T1-GE3
Product Overview
ထုတ်လုပ်သူ:
Vishay Siliconix
အပိုင်းနံပါတ်:
SI5482DU-T1-GE3-DG
ဖေါ်ပြချက်:
MOSFET N-CH 30V 12A PPAK
အသေးစိတ်ဖေါ်ပြချက်:
N-Channel 30 V 12A (Tc) 3.1W (Ta), 31W (Tc) Surface Mount PowerPAK® ChipFET™ Single
စာရင်းထည့်သွင်းမှု:
12914359
ဈေးနှုန်းတောင်းဆိုပါ
ပမာဏ
အနိမ့္ဆုံး ၁
အနိမ့္ဆုံး ၁
qvA6
(*) တစုံတရာအရေးပါသည်
ကျွန်ုပ်တို့သည် ၂၄ နာရီအတွင်း သင်နှင့် ပြန်လိုက်မည်
ကျွန်ုပ်တို့သည် ၂၄ နာရီအတွင်း သင်နှင့် ပြန်လိုက်မည်
တင်သွင်းမည်
SI5482DU-T1-GE3 နည်းပညာအထူးပြုချက်များ
အမျိုးအစား
FETs, MOSFETs, အထူး FETs, MOSFETs
ထုတ်လုပ်သူ
Vishay
ထုပ်ပိုးခြင်း
-
စီးရီးများ
TrenchFET®
ထုတ်ကုန်အခြေအနေ
Obsolete
FET အမျိုးအစား
N-Channel
နည်းပညာ
MOSFET (Metal Oxide)
ရင်းမြစ် ဗောင့် (Vds) သို့ ထုတ်ယူပါ
30 V
လက်ရှိ - အဆက်မပြတ် ဒရင်း (id) @ 25°C
12A (Tc)
Drive Voltage (Max RdsOn, Max RdsOn)
4.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
15mOhm @ 7.4A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
2V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
51 nC @ 10 V
Vggs (Max)
±12V
Input cpacance (Ciss) (Max) @ Vds
1610 pF @ 15 V
FET အသွင်အပြင်
-
လျှပ်စစ်ဓာတ်အား ပြတ်တောက်ခြင်း (မက်စ်)
3.1W (Ta), 31W (Tc)
လည်ပတ်နေသော အပူချိန်
-55°C ~ 150°C (TJ)
တောင်စောင်း အမျိုးအစား
Surface Mount
ထောက်ပံ့ပေးသူကိရိယာ ပက်ကေ့ခ်ျ
PowerPAK® ChipFET™ Single
ပက်ကေ့ / အမှု
PowerPAK® ChipFET™ Single
အခြေခံ ထုတ်ကုန် နံပါတ်
SI5482
ထပ်ဆောင်းအချက်အလက်
စံချိန်တင် ပက်ကေ့ခ်ျ
3,000
ပတ်ဝန်းကျင်နှင့် နဲ့ကုန်ထုတ်လုပ်မှုအနှိပ် အမျိုးအစား
RoHS အခြေအနေ
ROHS3 Compliant
စိုထိုင်းမှုအာရုံခံမှု အဆင့် (MSL)
1 (Unlimited)
အခြေအနေ
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
အခြားမော်ဒယ်များ
အစိတ်အပိုင်းနံပါတ်
SI5418DU-T1-GE3
ထုတ်လုပ်သူ
Vishay Siliconix
ရရှိနိုင်သည့် အရေအတွက်
1882
DiGi အပိုင်းအမှတ်
SI5418DU-T1-GE3-DG
ယူနစ်စျေးနှုန်း
0.45
အစားထိုး အမျိုးအစား
Direct
DIGI Certification
သက်ဆိုင်ရာ မူလရောင်းအားများ
SI8806DB-T2-E1
MOSFET N-CH 12V 4MICROFOOT
SI4108DY-T1-GE3
MOSFET N-CH 75V 20.5A 8-SOIC
IRFR9210TRR
MOSFET P-CH 200V 1.9A DPAK