ထုတ်လုပ်သူထုတ်ကုန်နံပါတ်:
SI3407DV-T1-GE3
Product Overview
ထုတ်လုပ်သူ:
Vishay Siliconix
အပိုင်းနံပါတ်:
SI3407DV-T1-GE3-DG
ဖေါ်ပြချက်:
MOSFET P-CH 20V 8A 6TSOP
အသေးစိတ်ဖေါ်ပြချက်:
P-Channel 20 V 8A (Tc) 4.2W (Tc) Surface Mount 6-TSOP
စာရင်းထည့်သွင်းမှု:
8982 ပစ္စည်း အသစ် မူရင်း ရှိသည်
12912834
ဈေးနှုန်းတောင်းဆိုပါ
ပမာဏ
အနိမ့္ဆုံး ၁
အနိမ့္ဆုံး ၁
18G4
(*) တစုံတရာအရေးပါသည်
ကျွန်ုပ်တို့သည် ၂၄ နာရီအတွင်း သင်နှင့် ပြန်လိုက်မည်
ကျွန်ုပ်တို့သည် ၂၄ နာရီအတွင်း သင်နှင့် ပြန်လိုက်မည်
တင်သွင်းမည်
SI3407DV-T1-GE3 နည်းပညာအထူးပြုချက်များ
အမျိုးအစား
FETs, MOSFETs, အထူး FETs, MOSFETs
ထုတ်လုပ်သူ
Vishay
ထုပ်ပိုးခြင်း
Tape & Reel (TR)
စီးရီးများ
TrenchFET®
ထုတ်ကုန်အခြေအနေ
Active
FET အမျိုးအစား
P-Channel
နည်းပညာ
MOSFET (Metal Oxide)
ရင်းမြစ် ဗောင့် (Vds) သို့ ထုတ်ယူပါ
20 V
လက်ရှိ - အဆက်မပြတ် ဒရင်း (id) @ 25°C
8A (Tc)
Drive Voltage (Max RdsOn, Max RdsOn)
2.5V, 4.5V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
24mOhm @ 7.5A, 4.5V
Vgs(th) (Max) @ Id
1.5V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
63 nC @ 10 V
Vggs (Max)
±12V
Input cpacance (Ciss) (Max) @ Vds
1670 pF @ 10 V
FET အသွင်အပြင်
-
လျှပ်စစ်ဓာတ်အား ပြတ်တောက်ခြင်း (မက်စ်)
4.2W (Tc)
လည်ပတ်နေသော အပူချိန်
-55°C ~ 150°C (TJ)
တောင်စောင်း အမျိုးအစား
Surface Mount
ထောက်ပံ့ပေးသူကိရိယာ ပက်ကေ့ခ်ျ
6-TSOP
ပက်ကေ့ / အမှု
SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
အခြေခံ ထုတ်ကုန် နံပါတ်
SI3407
ဒေတာရွက်နှင့် құရစာရွက်များ
ဒေတာစာရွက်များ
HTML ဒေတာရှက်
ထပ်ဆောင်းအချက်အလက်
အခြားအမည်များ
SI3407DV-T1-GE3CT
SI3407DV-T1-GE3DKR
SI3407DV-T1-GE3TR
SI3407DV-T1-GE3-DG
စံချိန်တင် ပက်ကေ့ခ်ျ
3,000
ပတ်ဝန်းကျင်နှင့် နဲ့ကုန်ထုတ်လုပ်မှုအနှိပ် အမျိုးအစား
RoHS အခြေအနေ
ROHS3 Compliant
စိုထိုင်းမှုအာရုံခံမှု အဆင့် (MSL)
1 (Unlimited)
အခြေအနေ
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
DIGI Certification
သက်ဆိုင်ရာ မူလရောင်းအားများ
IRFZ34
MOSFET N-CH 60V 30A TO220AB
IRL510SPBF
MOSFET N-CH 100V 5.6A D2PAK
SI6435ADQ-T1-E3
MOSFET P-CH 30V 4.7A 8-TSSOP
