ထုတ်လုပ်သူထုတ်ကုန်နံပါတ်:
TPH2010FNH,L1Q
Product Overview
ထုတ်လုပ်သူ:
Toshiba Semiconductor and Storage
အပိုင်းနံပါတ်:
TPH2010FNH,L1Q-DG
ဖေါ်ပြချက်:
MOSFET N-CH 250V 5.6A 8SOP
အသေးစိတ်ဖေါ်ပြချက်:
N-Channel 250 V 5.6A (Ta) 1.6W (Ta), 42W (Tc) Surface Mount 8-SOP Advance (5x5)
စာရင်းထည့်သွင်းမှု:
8954 ပစ္စည်း အသစ် မူရင်း ရှိသည်
12890350
ဈေးနှုန်းတောင်းဆိုပါ
ပမာဏ
အနိမ့္ဆုံး ၁
အနိမ့္ဆုံး ၁
GLoH
(*) တစုံတရာအရေးပါသည်
ကျွန်ုပ်တို့သည် ၂၄ နာရီအတွင်း သင်နှင့် ပြန်လိုက်မည်
ကျွန်ုပ်တို့သည် ၂၄ နာရီအတွင်း သင်နှင့် ပြန်လိုက်မည်
တင်သွင်းမည်
TPH2010FNH,L1Q နည်းပညာအထူးပြုချက်များ
အမျိုးအစား
FETs, MOSFETs, အထူး FETs, MOSFETs
ထုတ်လုပ်သူ
Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation
ထုပ်ပိုးခြင်း
Tape & Reel (TR)
စီးရီးများ
U-MOSVIII-H
ထုတ်ကုန်အခြေအနေ
Active
FET အမျိုးအစား
N-Channel
နည်းပညာ
MOSFET (Metal Oxide)
ရင်းမြစ် ဗောင့် (Vds) သို့ ထုတ်ယူပါ
250 V
လက်ရှိ - အဆက်မပြတ် ဒရင်း (id) @ 25°C
5.6A (Ta)
Drive Voltage (Max RdsOn, Max RdsOn)
10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
198mOhm @ 2.8A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4V @ 200µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
7 nC @ 10 V
Vggs (Max)
±20V
Input cpacance (Ciss) (Max) @ Vds
600 pF @ 100 V
FET အသွင်အပြင်
-
လျှပ်စစ်ဓာတ်အား ပြတ်တောက်ခြင်း (မက်စ်)
1.6W (Ta), 42W (Tc)
လည်ပတ်နေသော အပူချိန်
150°C (TJ)
တောင်စောင်း အမျိုးအစား
Surface Mount
ထောက်ပံ့ပေးသူကိရိယာ ပက်ကေ့ခ်ျ
8-SOP Advance (5x5)
ပက်ကေ့ / အမှု
8-PowerVDFN
အခြေခံ ထုတ်ကုန် နံပါတ်
TPH2010
ဒေတာရွက်နှင့် құရစာရွက်များ
ဒေတာစာရွက်များ
ထပ်ဆောင်းအချက်အလက်
အခြားအမည်များ
TPH2010FNH,L1Q(M
TPH2010FNHL1QTR
TPH2010FNHL1QCT
TPH2010FNHL1QDKR
စံချိန်တင် ပက်ကေ့ခ်ျ
5,000
ပတ်ဝန်းကျင်နှင့် နဲ့ကုန်ထုတ်လုပ်မှုအနှိပ် အမျိုးအစား
RoHS အခြေအနေ
ROHS3 Compliant
စိုထိုင်းမှုအာရုံခံမှု အဆင့် (MSL)
1 (Unlimited)
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
DIGI Certification
သက်ဆိုင်ရာ မူလရောင်းအားများ
TPH11003NL,LQ
MOSFET N CH 30V 32A 8SOP
TPW1R005PL,L1Q
MOSFET N-CH 45V 300A 8DSOP
TPCA8105(TE12L,Q,M
MOSFET P-CH 12V 6A 8SOP
