ထုတ်လုပ်သူထုတ်ကုန်နံပါတ်:
TPH1R306P1,L1Q
Product Overview
ထုတ်လုပ်သူ:
Toshiba Semiconductor and Storage
အပိုင်းနံပါတ်:
TPH1R306P1,L1Q-DG
ဖေါ်ပြချက်:
MOSFET N-CH 60V 100A 8SOP
အသေးစိတ်ဖေါ်ပြချက်:
N-Channel 60 V 100A (Tc) 960mW (Ta), 170W (Tc) Surface Mount 8-SOP Advance (5x5)
စာရင်းထည့်သွင်းမှု:
3143 ပစ္စည်း အသစ် မူရင်း ရှိသည်
12966838
ဈေးနှုန်းတောင်းဆိုပါ
ပမာဏ
အနိမ့္ဆုံး ၁
အနိမ့္ဆုံး ၁
xWy8
(*) တစုံတရာအရေးပါသည်
ကျွန်ုပ်တို့သည် ၂၄ နာရီအတွင်း သင်နှင့် ပြန်လိုက်မည်
ကျွန်ုပ်တို့သည် ၂၄ နာရီအတွင်း သင်နှင့် ပြန်လိုက်မည်
တင်သွင်းမည်
TPH1R306P1,L1Q နည်းပညာအထူးပြုချက်များ
အမျိုးအစား
FETs, MOSFETs, အထူး FETs, MOSFETs
ထုတ်လုပ်သူ
Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation
ထုပ်ပိုးခြင်း
Tape & Reel (TR)
စီးရီးများ
U-MOSIX-H
ထုတ်ကုန်အခြေအနေ
Active
FET အမျိုးအစား
N-Channel
နည်းပညာ
MOSFET (Metal Oxide)
ရင်းမြစ် ဗောင့် (Vds) သို့ ထုတ်ယူပါ
60 V
လက်ရှိ - အဆက်မပြတ် ဒရင်း (id) @ 25°C
100A (Tc)
Drive Voltage (Max RdsOn, Max RdsOn)
4.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
1.28mOhm @ 50A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
2.5V @ 1mA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
91 nC @ 10 V
Vggs (Max)
±20V
Input cpacance (Ciss) (Max) @ Vds
8100 pF @ 30 V
FET အသွင်အပြင်
-
လျှပ်စစ်ဓာတ်အား ပြတ်တောက်ခြင်း (မက်စ်)
960mW (Ta), 170W (Tc)
လည်ပတ်နေသော အပူချိန်
175°C
တောင်စောင်း အမျိုးအစား
Surface Mount
ထောက်ပံ့ပေးသူကိရိယာ ပက်ကေ့ခ်ျ
8-SOP Advance (5x5)
ပက်ကေ့ / အမှု
8-PowerVDFN
အခြေခံ ထုတ်ကုန် နံပါတ်
TPH1R306
ဒေတာရွက်နှင့် құရစာရွက်များ
ဒေတာစာရွက်များ
HTML ဒေတာရှက်
ထပ်ဆောင်းအချက်အလက်
အခြားအမည်များ
264-TPH1R306P1L1QCT
264-TPH1R306P1L1QTR
264-TPH1R306P1L1QDKR
TPH1R306P1,L1Q(M
စံချိန်တင် ပက်ကေ့ခ်ျ
5,000
ပတ်ဝန်းကျင်နှင့် နဲ့ကုန်ထုတ်လုပ်မှုအနှိပ် အမျိုးအစား
စိုထိုင်းမှုအာရုံခံမှု အဆင့် (MSL)
1 (Unlimited)
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
DIGI Certification
သက်ဆိုင်ရာ မူလရောင်းအားများ
SIJ128LDP-T1-GE3
MOSFET N-CH 80V 10.2A/25.5A PPAK
JANTXV2N6768
MOSFET N-CH 400V 14A TO204AE
IPD088N06N3GATMA1
MOSFET N-CH 60V 50A TO252-3