ထုတ်လုပ်သူထုတ်ကုန်နံပါတ်:
TK16J60W5,S1VQ
Product Overview
ထုတ်လုပ်သူ:
Toshiba Semiconductor and Storage
အပိုင်းနံပါတ်:
TK16J60W5,S1VQ-DG
ဖေါ်ပြချက်:
X35 PB-F POWER MOSFET TRANSISTOR
အသေးစိတ်ဖေါ်ပြချက်:
N-Channel 600 V 15.8A (Ta) 130W (Tc) Through Hole TO-3P(N)
စာရင်းထည့်သွင်းမှု:
21 ပစ္စည်း အသစ် မူရင်း ရှိသည်
12920898
ဈေးနှုန်းတောင်းဆိုပါ
ပမာဏ
အနိမ့္ဆုံး ၁
အနိမ့္ဆုံး ၁
8qOA
(*) တစုံတရာအရေးပါသည်
ကျွန်ုပ်တို့သည် ၂၄ နာရီအတွင်း သင်နှင့် ပြန်လိုက်မည်
ကျွန်ုပ်တို့သည် ၂၄ နာရီအတွင်း သင်နှင့် ပြန်လိုက်မည်
တင်သွင်းမည်
TK16J60W5,S1VQ နည်းပညာအထူးပြုချက်များ
အမျိုးအစား
FETs, MOSFETs, အထူး FETs, MOSFETs
ထုတ်လုပ်သူ
Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation
ထုပ်ပိုးခြင်း
Tube
စီးရီးများ
-
ထုတ်ကုန်အခြေအနေ
Active
FET အမျိုးအစား
N-Channel
နည်းပညာ
MOSFET (Metal Oxide)
ရင်းမြစ် ဗောင့် (Vds) သို့ ထုတ်ယူပါ
600 V
လက်ရှိ - အဆက်မပြတ် ဒရင်း (id) @ 25°C
15.8A (Ta)
Drive Voltage (Max RdsOn, Max RdsOn)
10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
230mOhm @ 7.9A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4.5V @ 790µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
43 nC @ 10 V
Vggs (Max)
±30V
Input cpacance (Ciss) (Max) @ Vds
1350 pF @ 300 V
FET အသွင်အပြင်
-
လျှပ်စစ်ဓာတ်အား ပြတ်တောက်ခြင်း (မက်စ်)
130W (Tc)
လည်ပတ်နေသော အပူချိန်
150°C
တောင်စောင်း အမျိုးအစား
Through Hole
ထောက်ပံ့ပေးသူကိရိယာ ပက်ကေ့ခ်ျ
TO-3P(N)
ပက်ကေ့ / အမှု
TO-3P-3, SC-65-3
အခြေခံ ထုတ်ကုန် နံပါတ်
TK16J60
ဒေတာရွက်နှင့် құရစာရွက်များ
ဒေတာစာရွက်များ
HTML ဒေတာရှက်
ထပ်ဆောင်းအချက်အလက်
အခြားအမည်များ
TK16J60W5,S1VQ(O
264-TK16J60W5S1VQ
စံချိန်တင် ပက်ကေ့ခ်ျ
25
ပတ်ဝန်းကျင်နှင့် နဲ့ကုန်ထုတ်လုပ်မှုအနှိပ် အမျိုးအစား
RoHS အခြေအနေ
ROHS3 Compliant
စိုထိုင်းမှုအာရုံခံမှု အဆင့် (MSL)
1 (Unlimited)
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
DIGI Certification
သက်ဆိုင်ရာ မူလရောင်းအားများ
TK17A65W5,S5X
X35 PB-F POWER MOSFET TRANSISTOR
TPH1500CNH,L1Q
MOSFET N-CH 150V 38A 8SOP
TK1K0A60F,S4X
X35 PB-F POWER MOSFET TRANSISTOR
