ထုတ်လုပ်သူထုတ်ကုန်နံပါတ်:
SSM6J206FE(TE85L,F
Product Overview
ထုတ်လုပ်သူ:
Toshiba Semiconductor and Storage
အပိုင်းနံပါတ်:
SSM6J206FE(TE85L,F-DG
ဖေါ်ပြချက်:
MOSFET P-CH 20V 2A ES6
အသေးစိတ်ဖေါ်ပြချက်:
P-Channel 20 V 2A (Ta) 500mW (Ta) Surface Mount ES6
စာရင်းထည့်သွင်းမှု:
12889259
ဈေးနှုန်းတောင်းဆိုပါ
ပမာဏ
အနိမ့္ဆုံး ၁
အနိမ့္ဆုံး ၁
ulI6
(*) တစုံတရာအရေးပါသည်
ကျွန်ုပ်တို့သည် ၂၄ နာရီအတွင်း သင်နှင့် ပြန်လိုက်မည်
ကျွန်ုပ်တို့သည် ၂၄ နာရီအတွင်း သင်နှင့် ပြန်လိုက်မည်
တင်သွင်းမည်
SSM6J206FE(TE85L,F နည်းပညာအထူးပြုချက်များ
အမျိုးအစား
FETs, MOSFETs, အထူး FETs, MOSFETs
ထုတ်လုပ်သူ
Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation
ထုပ်ပိုးခြင်း
-
စီးရီးများ
-
ထုတ်ကုန်အခြေအနေ
Active
FET အမျိုးအစား
P-Channel
နည်းပညာ
MOSFET (Metal Oxide)
ရင်းမြစ် ဗောင့် (Vds) သို့ ထုတ်ယူပါ
20 V
လက်ရှိ - အဆက်မပြတ် ဒရင်း (id) @ 25°C
2A (Ta)
Drive Voltage (Max RdsOn, Max RdsOn)
1.8V, 4V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
130mOhm @ 1A, 4V
Vgs(th) (Max) @ Id
1V @ 1mA
Vggs (Max)
±8V
Input cpacance (Ciss) (Max) @ Vds
335 pF @ 10 V
FET အသွင်အပြင်
-
လျှပ်စစ်ဓာတ်အား ပြတ်တောက်ခြင်း (မက်စ်)
500mW (Ta)
လည်ပတ်နေသော အပူချိန်
150°C (TJ)
တောင်စောင်း အမျိုးအစား
Surface Mount
ထောက်ပံ့ပေးသူကိရိယာ ပက်ကေ့ခ်ျ
ES6
ပက်ကေ့ / အမှု
SOT-563, SOT-666
အခြေခံ ထုတ်ကုန် နံပါတ်
SSM6J206
ထပ်ဆောင်းအချက်အလက်
အခြားအမည်များ
SSM6J206FETE85LF
SSM6J206FE(TE85LFCT
SSM6J206FE(TE85LFTR
SSM6J206FE(TE85LFDKR
စံချိန်တင် ပက်ကေ့ခ်ျ
4,000
ပတ်ဝန်းကျင်နှင့် နဲ့ကုန်ထုတ်လုပ်မှုအနှိပ် အမျိုးအစား
RoHS အခြေအနေ
RoHS Compliant
စိုထိုင်းမှုအာရုံခံမှု အဆင့် (MSL)
1 (Unlimited)
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.21.0095
အခြားမော်ဒယ်များ
အစိတ်အပိုင်းနံပါတ်
NTZS3151PT1G
ထုတ်လုပ်သူ
onsemi
ရရှိနိုင်သည့် အရေအတွက်
17660
DiGi အပိုင်းအမှတ်
NTZS3151PT1G-DG
ယူနစ်စျေးနှုန်း
0.07
အစားထိုး အမျိုးအစား
Similar
DIGI Certification
သက်ဆိုင်ရာ မူလရောင်းအားများ
TK40P04M1(T6RSS-Q)
MOSFET N-CH 40V 40A DP
SSM3J09FU,LF
MOSFET P-CH 30V 200MA USM
TK7S10N1Z,LQ
MOSFET N-CH 100V 7A DPAK
