ထုတ်လုပ်သူထုတ်ကုန်နံပါတ်:
RN1710,LF
Product Overview
ထုတ်လုပ်သူ:
Toshiba Semiconductor and Storage
အပိုင်းနံပါတ်:
RN1710,LF-DG
ဖေါ်ပြချက်:
NPNX2 BRT Q1BSR4.7KOHM Q1BERINF.
အသေးစိတ်ဖေါ်ပြချက်:
Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) 2 NPN - Pre-Biased (Dual) 50V 100mA 250MHz 200mW Surface Mount USV
စာရင်းထည့်သွင်းမှု:
2535 ပစ္စည်း အသစ် မူရင်း ရှိသည်
12890364
ဈေးနှုန်းတောင်းဆိုပါ
ပမာဏ
အနိမ့္ဆုံး ၁
အနိမ့္ဆုံး ၁
J7JU
(*) တစုံတရာအရေးပါသည်
ကျွန်ုပ်တို့သည် ၂၄ နာရီအတွင်း သင်နှင့် ပြန်လိုက်မည်
ကျွန်ုပ်တို့သည် ၂၄ နာရီအတွင်း သင်နှင့် ပြန်လိုက်မည်
တင်သွင်းမည်
RN1710,LF နည်းပညာအထူးပြုချက်များ
အမျိုးအစား
ဘိုလ်ပိုးလာ (BJT), ဗျူဖိုလ်ထရမ်းဇစ်တာအစုအပြုံများ၊ အရင်လက်မေ့ထားသည်
ထုတ်လုပ်သူ
Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation
ထုပ်ပိုးခြင်း
Tape & Reel (TR)
စီးရီးများ
-
ထုတ်ကုန်အခြေအနေ
Active
ထရန်စစ္စတာ အမျိုးအစား
2 NPN - Pre-Biased (Dual)
လက်ရှိ - စုဆောင်းသူ (ic) (Max)
100mA
ဓာတ်အား - စုဆောင်းသူ Emitter Breakdown (Max)
50V
ခုခံ - အခြေစိုက် (R1)
4.7kOhms
ခုခံ - Emitter Base (R2)
-
DC Current Gain (hFE) (m) @ Ic, Vce
120 @ 1mA, 5V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic
300mV @ 250µA, 5mA
လက်ရှိ - စုဆောင်းရေး ကော်လီတာ ကတ်အော့ဖ် (Max)
100nA (ICBO)
Frequency - transion
250MHz
စွမ်းအင် - Max
200mW
တောင်စောင်း အမျိုးအစား
Surface Mount
ပက်ကေ့ / အမှု
5-TSSOP, SC-70-5, SOT-353
ထောက်ပံ့ပေးသူကိရိယာ ပက်ကေ့ခ်ျ
USV
အခြေခံ ထုတ်ကုန် နံပါတ်
RN1710
ဒေတာရွက်နှင့် құရစာရွက်များ
ဒေတာစာရွက်များ
ထပ်ဆောင်းအချက်အလက်
အခြားအမည်များ
RN1710LFDKR
RN1710LFCT
RN1710,LF(B
RN1710LFTR
စံချိန်တင် ပက်ကေ့ခ်ျ
3,000
ပတ်ဝန်းကျင်နှင့် နဲ့ကုန်ထုတ်လုပ်မှုအနှိပ် အမျိုးအစား
RoHS အခြေအနေ
ROHS3 Compliant
စိုထိုင်းမှုအာရုံခံမှု အဆင့် (MSL)
1 (Unlimited)
အခြေအနေ
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.21.0075
အခြားမော်ဒယ်များ
အစိတ်အပိုင်းနံပါတ်
UMG3NTR
ထုတ်လုပ်သူ
Rohm Semiconductor
ရရှိနိုင်သည့် အရေအတွက်
6000
DiGi အပိုင်းအမှတ်
UMG3NTR-DG
ယူနစ်စျေးနှုန်း
0.07
အစားထိုး အမျိုးအစား
Similar
DIGI Certification
သက်ဆိုင်ရာ မူလရောင်းအားများ
RN2909(T5L,F,T)
TRANS 2PNP PREBIAS 0.2W US6
RN4902FE(TE85L,F)
TRANS NPN/PNP PREBIAS 0.1W ES6
RN1509(TE85L,F)
TRANS 2NPN PREBIAS 0.3W SMV