ထုတ်လုပ်သူထုတ်ကုန်နံပါတ်:
RN1111ACT(TPL3)
Product Overview
ထုတ်လုပ်သူ:
Toshiba Semiconductor and Storage
အပိုင်းနံပါတ်:
RN1111ACT(TPL3)-DG
ဖေါ်ပြချက်:
TRANS PREBIAS NPN 50V 0.08A CST3
အသေးစိတ်ဖေါ်ပြချက်:
Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) NPN - Pre-Biased 50 V 80 mA 100 mW Surface Mount CST3
စာရင်းထည့်သွင်းမှု:
12890896
ဈေးနှုန်းတောင်းဆိုပါ
ပမာဏ
အနိမ့္ဆုံး ၁
အနိမ့္ဆုံး ၁
UEl1
(*) တစုံတရာအရေးပါသည်
ကျွန်ုပ်တို့သည် ၂၄ နာရီအတွင်း သင်နှင့် ပြန်လိုက်မည်
ကျွန်ုပ်တို့သည် ၂၄ နာရီအတွင်း သင်နှင့် ပြန်လိုက်မည်
တင်သွင်းမည်
RN1111ACT(TPL3) နည်းပညာအထူးပြုချက်များ
အမျိုးအစား
ဘိုလ်ပိုးလာ (BJT), တစ်ခုတည်း, မူကြမ်းထားပြီး ကိုယ်ပိုင်ရောင်စူးမြင့်မြတ်စွာ ပြုလုပ်ထားသော Bipolar Transistors
ထုတ်လုပ်သူ
Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation
ထုပ်ပိုးခြင်း
-
စီးရီးများ
-
ထုတ်ကုန်အခြေအနေ
Active
ထရန်စစ္စတာ အမျိုးအစား
NPN - Pre-Biased
လက်ရှိ - စုဆောင်းသူ (ic) (Max)
80 mA
ဓာတ်အား - စုဆောင်းသူ Emitter Breakdown (Max)
50 V
ခုခံ - အခြေစိုက် (R1)
10 kOhms
DC Current Gain (hFE) (m) @ Ic, Vce
120 @ 1mA, 5V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic
150mV @ 250µA, 5mA
လက်ရှိ - စုဆောင်းရေး ကော်လီတာ ကတ်အော့ဖ် (Max)
100nA (ICBO)
စွမ်းအင် - Max
100 mW
တောင်စောင်း အမျိုးအစား
Surface Mount
ပက်ကေ့ / အမှု
SC-101, SOT-883
ထောက်ပံ့ပေးသူကိရိယာ ပက်ကေ့ခ်ျ
CST3
အခြေခံ ထုတ်ကုန် နံပါတ်
RN1111
ထပ်ဆောင်းအချက်အလက်
အခြားအမည်များ
RN1111ACT(TPL3)CT
RN1111ACT(TPL3)DKR
RN1111ACT(TPL3)TR
စံချိန်တင် ပက်ကေ့ခ်ျ
10,000
ပတ်ဝန်းကျင်နှင့် နဲ့ကုန်ထုတ်လုပ်မှုအနှိပ် အမျိုးအစား
RoHS အခြေအနေ
RoHS Compliant
စိုထိုင်းမှုအာရုံခံမှု အဆင့် (MSL)
1 (Unlimited)
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.21.0095
အခြားမော်ဒယ်များ
အစိတ်အပိုင်းနံပါတ်
PDTC114TM,315
ထုတ်လုပ်သူ
Philips
ရရှိနိုင်သည့် အရေအတွက်
60000
DiGi အပိုင်းအမှတ်
PDTC114TM,315-DG
ယူနစ်စျေးနှုန်း
0.03
အစားထိုး အမျိုးအစား
Similar
DIGI Certification
သက်ဆိုင်ရာ မူလရောင်းအားများ
RN1112(T5L,F,T)
TRANS PREBIAS NPN 50V 0.1A SSM
RN2106ACT(TPL3)
TRANS PREBIAS PNP 50V 0.08A CST3
RN2401,LF
TRANS PREBIAS PNP 50V 0.1A SMINI