ထုတ်လုပ်သူထုတ်ကုန်နံပါတ်:
2SK3564(STA4,Q,M)
Product Overview
ထုတ်လုပ်သူ:
Toshiba Semiconductor and Storage
အပိုင်းနံပါတ်:
2SK3564(STA4,Q,M)-DG
ဖေါ်ပြချက်:
MOSFET N-CH 900V 3A TO220SIS
အသေးစိတ်ဖေါ်ပြချက်:
N-Channel 900 V 3A (Ta) 40W (Tc) Through Hole TO-220SIS
စာရင်းထည့်သွင်းမှု:
176 ပစ္စည်း အသစ် မူရင်း ရှိသည်
12890039
ဈေးနှုန်းတောင်းဆိုပါ
ပမာဏ
အနိမ့္ဆုံး ၁
အနိမ့္ဆုံး ၁
lLT6
(*) တစုံတရာအရေးပါသည်
ကျွန်ုပ်တို့သည် ၂၄ နာရီအတွင်း သင်နှင့် ပြန်လိုက်မည်
ကျွန်ုပ်တို့သည် ၂၄ နာရီအတွင်း သင်နှင့် ပြန်လိုက်မည်
တင်သွင်းမည်
2SK3564(STA4,Q,M) နည်းပညာအထူးပြုချက်များ
အမျိုးအစား
FETs, MOSFETs, အထူး FETs, MOSFETs
ထုတ်လုပ်သူ
Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation
ထုပ်ပိုးခြင်း
Tube
စီးရီးများ
π-MOSIV
ထုတ်ကုန်အခြေအနေ
Active
FET အမျိုးအစား
N-Channel
နည်းပညာ
MOSFET (Metal Oxide)
ရင်းမြစ် ဗောင့် (Vds) သို့ ထုတ်ယူပါ
900 V
လက်ရှိ - အဆက်မပြတ် ဒရင်း (id) @ 25°C
3A (Ta)
Drive Voltage (Max RdsOn, Max RdsOn)
10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
4.3Ohm @ 1.5A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4V @ 1mA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
17 nC @ 10 V
Vggs (Max)
±30V
Input cpacance (Ciss) (Max) @ Vds
700 pF @ 25 V
FET အသွင်အပြင်
-
လျှပ်စစ်ဓာတ်အား ပြတ်တောက်ခြင်း (မက်စ်)
40W (Tc)
လည်ပတ်နေသော အပူချိန်
150°C (TJ)
တောင်စောင်း အမျိုးအစား
Through Hole
ထောက်ပံ့ပေးသူကိရိယာ ပက်ကေ့ခ်ျ
TO-220SIS
ပက်ကေ့ / အမှု
TO-220-3 Full Pack
အခြေခံ ထုတ်ကုန် နံပါတ်
2SK3564
ဒေတာရွက်နှင့် құရစာရွက်များ
ဒေတာစာရွက်များ
ထပ်ဆောင်းအချက်အလက်
အခြားအမည်များ
2SK3564(STA4QM)
2SK3564Q
2SK3564(Q)
2SK3564(STA4Q)
2SK3564Q-DG
2SK3564(STA4Q)-DG
2SK3564STA4QM
2SK3564(STA4,Q)
2SK3564-NDR
စံချိန်တင် ပက်ကေ့ခ်ျ
50
ပတ်ဝန်းကျင်နှင့် နဲ့ကုန်ထုတ်လုပ်မှုအနှိပ် အမျိုးအစား
RoHS အခြေအနေ
ROHS3 Compliant
စိုထိုင်းမှုအာရုံခံမှု အဆင့် (MSL)
1 (Unlimited)
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
DIGI Certification
သက်ဆိုင်ရာ မူလရောင်းအားများ
TK17E80W,S1X
MOSFET N-CHANNEL 800V 17A TO220
TK25E60X,S1X
MOSFET N-CH 600V 25A TO220
SSM3K310T(TE85L,F)
MOSFET N-CH 20V 5A TSM
