ထုတ်လုပ်သူထုတ်ကုန်နံပါတ်:
2SB1481(TOJS,Q,M)
Product Overview
ထုတ်လုပ်သူ:
Toshiba Semiconductor and Storage
အပိုင်းနံပါတ်:
2SB1481(TOJS,Q,M)-DG
ဖေါ်ပြချက်:
TRANS PNP 100V 4A TO220NIS
အသေးစိတ်ဖေါ်ပြချက်:
Bipolar (BJT) Transistor PNP 100 V 4 A 2 W Through Hole TO-220NIS
စာရင်းထည့်သွင်းမှု:
12889863
ဈေးနှုန်းတောင်းဆိုပါ
ပမာဏ
အနိမ့္ဆုံး ၁
အနိမ့္ဆုံး ၁
Lpqg
(*) တစုံတရာအရေးပါသည်
ကျွန်ုပ်တို့သည် ၂၄ နာရီအတွင်း သင်နှင့် ပြန်လိုက်မည်
ကျွန်ုပ်တို့သည် ၂၄ နာရီအတွင်း သင်နှင့် ပြန်လိုက်မည်
တင်သွင်းမည်
2SB1481(TOJS,Q,M) နည်းပညာအထူးပြုချက်များ
အမျိုးအစား
ဘိုလ်ပိုးလာ (BJT), တစ်ခါတစ်ရံဘိုင်ပိုလို Transistor များ
ထုတ်လုပ်သူ
Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation
ထုပ်ပိုးခြင်း
-
စီးရီးများ
-
ထုတ်ကုန်အခြေအနေ
Obsolete
ထရန်စစ္စတာ အမျိုးအစား
PNP
လက်ရှိ - စုဆောင်းသူ (ic) (Max)
4 A
ဓာတ်အား - စုဆောင်းသူ Emitter Breakdown (Max)
100 V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic
1.5V @ 6mA, 3A
လက်ရှိ - စုဆောင်းရေး ကော်လီတာ ကတ်အော့ဖ် (Max)
2µA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (m) @ Ic, Vce
2000 @ 3A, 2V
စွမ်းအင် - Max
2 W
Frequency - transion
-
လည်ပတ်နေသော အပူချိန်
150°C (TJ)
တောင်စောင်း အမျိုးအစား
Through Hole
ပက်ကေ့ / အမှု
TO-220-3 Full Pack
ထောက်ပံ့ပေးသူကိရိယာ ပက်ကေ့ခ်ျ
TO-220NIS
အခြေခံ ထုတ်ကုန် နံပါတ်
2SB1481
ထပ်ဆောင်းအချက်အလက်
အခြားအမည်များ
2SB1481(TOJSQM)
2SB1481TOJSQM
စံချိန်တင် ပက်ကေ့ခ်ျ
1
ပတ်ဝန်းကျင်နှင့် နဲ့ကုန်ထုတ်လုပ်မှုအနှိပ် အမျိုးအစား
စိုထိုင်းမှုအာရုံခံမှု အဆင့် (MSL)
1 (Unlimited)
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
DIGI Certification
သက်ဆိုင်ရာ မူလရောင်းအားများ
2SC6026MFV-Y,L3F
TRANS NPN 50V 0.15A VESM
2SC2235-Y(T6CANOFM
TRANS NPN 120V 0.8A TO92MOD
2SC3225,T6ALPSF(M
TRANS NPN 40V 2A TO92MOD