ထုတ်လုပ်သူထုတ်ကုန်နံပါတ်:
TPS1100DR
Product Overview
ထုတ်လုပ်သူ:
Texas Instruments
အပိုင်းနံပါတ်:
TPS1100DR-DG
ဖေါ်ပြချက်:
MOSFET P-CH 15V 1.6A 8SOIC
အသေးစိတ်ဖေါ်ပြချက်:
P-Channel 15 V 1.6A (Ta) 791mW (Ta) Surface Mount 8-SOIC
စာရင်းထည့်သွင်းမှု:
12813514
ဈေးနှုန်းတောင်းဆိုပါ
ပမာဏ
အနိမ့္ဆုံး ၁
အနိမ့္ဆုံး ၁
lAuU
(*) တစုံတရာအရေးပါသည်
ကျွန်ုပ်တို့သည် ၂၄ နာရီအတွင်း သင်နှင့် ပြန်လိုက်မည်
ကျွန်ုပ်တို့သည် ၂၄ နာရီအတွင်း သင်နှင့် ပြန်လိုက်မည်
တင်သွင်းမည်
TPS1100DR နည်းပညာအထူးပြုချက်များ
အမျိုးအစား
FETs, MOSFETs, အထူး FETs, MOSFETs
ထုတ်လုပ်သူ
Texas Instruments
ထုပ်ပိုးခြင်း
Tape & Reel (TR)
စီးရီးများ
-
ထုတ်ကုန်အခြေအနေ
Active
FET အမျိုးအစား
P-Channel
နည်းပညာ
MOSFET (Metal Oxide)
ရင်းမြစ် ဗောင့် (Vds) သို့ ထုတ်ယူပါ
15 V
လက်ရှိ - အဆက်မပြတ် ဒရင်း (id) @ 25°C
1.6A (Ta)
Drive Voltage (Max RdsOn, Max RdsOn)
2.7V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
180mOhm @ 1.5A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
1.5V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
5.45 nC @ 10 V
Vggs (Max)
+2V, -15V
FET အသွင်အပြင်
-
လျှပ်စစ်ဓာတ်အား ပြတ်တောက်ခြင်း (မက်စ်)
791mW (Ta)
လည်ပတ်နေသော အပူချိန်
-40°C ~ 150°C (TJ)
တောင်စောင်း အမျိုးအစား
Surface Mount
ထောက်ပံ့ပေးသူကိရိယာ ပက်ကေ့ခ်ျ
8-SOIC
ပက်ကေ့ / အမှု
8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
အခြေခံ ထုတ်ကုန် နံပါတ်
TPS1100
ဒေတာရွက်နှင့် құရစာရွက်များ
ဒေတာစာရွက်များ
ထုတ်လုပ်သူ ထုတ်ကုန်စာမျက်နှာ
ထပ်ဆောင်းအချက်အလက်
အခြားအမည်များ
TEXTISTPS1100DR
TPS1100DRG4
2156-TPS1100DR
TPS1100DRG4-DG
စံချိန်တင် ပက်ကေ့ခ်ျ
2,500
ပတ်ဝန်းကျင်နှင့် နဲ့ကုန်ထုတ်လုပ်မှုအနှိပ် အမျိုးအစား
RoHS အခြေအနေ
ROHS3 Compliant
စိုထိုင်းမှုအာရုံခံမှု အဆင့် (MSL)
1 (Unlimited)
အခြေအနေ
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.21.0095
အခြားမော်ဒယ်များ
အစိတ်အပိုင်းနံပါတ်
FDS6375
ထုတ်လုပ်သူ
onsemi
ရရှိနိုင်သည့် အရေအတွက်
2121
DiGi အပိုင်းအမှတ်
FDS6375-DG
ယူနစ်စျေးနှုန်း
0.32
အစားထိုး အမျိုးအစား
MFR Recommended
DIGI Certification
သက်ဆိုင်ရာ မူလရောင်းအားများ
IRF6716MTR1PBF
MOSFET N-CH 25V 39A DIRECTFET
IRFS4115PBF
MOSFET N-CH 150V 195A D2PAK
IRLL2703TR
MOSFET N-CH 30V 3.9A SOT223