ထုတ်လုပ်သူထုတ်ကုန်နံပါတ်:
CSD19533KCS
Product Overview
ထုတ်လုပ်သူ:
Texas Instruments
အပိုင်းနံပါတ်:
CSD19533KCS-DG
ဖေါ်ပြချက်:
MOSFET N-CH 100V 100A TO220-3
အသေးစိတ်ဖေါ်ပြချက်:
N-Channel 100 V 100A (Ta) 188W (Tc) Through Hole TO-220-3
စာရင်းထည့်သွင်းမှု:
2169 ပစ္စည်း အသစ် မူရင်း ရှိသည်
12789211
ဈေးနှုန်းတောင်းဆိုပါ
ပမာဏ
အနိမ့္ဆုံး ၁
အနိမ့္ဆုံး ၁
K5Lc
(*) တစုံတရာအရေးပါသည်
ကျွန်ုပ်တို့သည် ၂၄ နာရီအတွင်း သင်နှင့် ပြန်လိုက်မည်
ကျွန်ုပ်တို့သည် ၂၄ နာရီအတွင်း သင်နှင့် ပြန်လိုက်မည်
တင်သွင်းမည်
CSD19533KCS နည်းပညာအထူးပြုချက်များ
အမျိုးအစား
FETs, MOSFETs, အထူး FETs, MOSFETs
ထုတ်လုပ်သူ
Texas Instruments
ထုပ်ပိုးခြင်း
Tube
စီးရီးများ
NexFET™
ထုတ်ကုန်အခြေအနေ
Active
FET အမျိုးအစား
N-Channel
နည်းပညာ
MOSFET (Metal Oxide)
ရင်းမြစ် ဗောင့် (Vds) သို့ ထုတ်ယူပါ
100 V
လက်ရှိ - အဆက်မပြတ် ဒရင်း (id) @ 25°C
100A (Ta)
Drive Voltage (Max RdsOn, Max RdsOn)
6V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
10.5mOhm @ 55A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
3.4V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
35 nC @ 10 V
Vggs (Max)
±20V
Input cpacance (Ciss) (Max) @ Vds
2670 pF @ 50 V
FET အသွင်အပြင်
-
လျှပ်စစ်ဓာတ်အား ပြတ်တောက်ခြင်း (မက်စ်)
188W (Tc)
လည်ပတ်နေသော အပူချိန်
-55°C ~ 175°C (TJ)
တောင်စောင်း အမျိုးအစား
Through Hole
ထောက်ပံ့ပေးသူကိရိယာ ပက်ကေ့ခ်ျ
TO-220-3
ပက်ကေ့ / အမှု
TO-220-3
အခြေခံ ထုတ်ကုန် နံပါတ်
CSD19533
ဒေတာရွက်နှင့် құရစာရွက်များ
ဒေတာစာရွက်များ
ထုတ်လုပ်သူ ထုတ်ကုန်စာမျက်နှာ
ထပ်ဆောင်းအချက်အလက်
အခြားအမည်များ
-CSD19533KCS-NDR
296-37482-5INACTIVE
296-37482-5-NDR
-CSD19533KCSINACTIVE
296-37482-5
CSD19533KCS-DG
စံချိန်တင် ပက်ကေ့ခ်ျ
50
ပတ်ဝန်းကျင်နှင့် နဲ့ကုန်ထုတ်လုပ်မှုအနှိပ် အမျိုးအစား
RoHS အခြေအနေ
ROHS3 Compliant
စိုထိုင်းမှုအာရုံခံမှု အဆင့် (MSL)
Not Applicable
အခြေအနေ
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
DIGI Certification
သက်ဆိုင်ရာ မူလရောင်းအားများ
CP373-CTLDM303N-WN
MOSFET N-CH 30V 3.6A DIE
CSD13385F5T
MOSFET N-CH 12V 4.3A 3PICOSTAR
CSD17559Q5T
MOSFET N-CH 30V 100A 8VSON