ထုတ်လုပ်သူထုတ်ကုန်နံပါတ်:
TSM13ND50CI
Product Overview
ထုတ်လုပ်သူ:
Taiwan Semiconductor Corporation
အပိုင်းနံပါတ်:
TSM13ND50CI-DG
ဖေါ်ပြချက်:
MOSFET N-CH 500V 13A ITO220
အသေးစိတ်ဖေါ်ပြချက်:
N-Channel 500 V 13A (Tc) 57W (Tc) Through Hole ITO-220
စာရင်းထည့်သွင်းမှု:
3853 ပစ္စည်း အသစ် မူရင်း ရှိသည်
12895946
ဈေးနှုန်းတောင်းဆိုပါ
ပမာဏ
အနိမ့္ဆုံး ၁
အနိမ့္ဆုံး ၁
jXWA
(*) တစုံတရာအရေးပါသည်
ကျွန်ုပ်တို့သည် ၂၄ နာရီအတွင်း သင်နှင့် ပြန်လိုက်မည်
ကျွန်ုပ်တို့သည် ၂၄ နာရီအတွင်း သင်နှင့် ပြန်လိုက်မည်
တင်သွင်းမည်
TSM13ND50CI နည်းပညာအထူးပြုချက်များ
အမျိုးအစား
FETs, MOSFETs, အထူး FETs, MOSFETs
ထုတ်လုပ်သူ
Taiwan Semiconductor
ထုပ်ပိုးခြင်း
Tube
စီးရီးများ
-
ထုတ်ကုန်အခြေအနေ
Active
FET အမျိုးအစား
N-Channel
နည်းပညာ
MOSFET (Metal Oxide)
ရင်းမြစ် ဗောင့် (Vds) သို့ ထုတ်ယူပါ
500 V
လက်ရှိ - အဆက်မပြတ် ဒရင်း (id) @ 25°C
13A (Tc)
Drive Voltage (Max RdsOn, Max RdsOn)
10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
480mOhm @ 3.3A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
3.8V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
39 nC @ 10 V
Vggs (Max)
±30V
Input cpacance (Ciss) (Max) @ Vds
1877 pF @ 50 V
FET အသွင်အပြင်
-
လျှပ်စစ်ဓာတ်အား ပြတ်တောက်ခြင်း (မက်စ်)
57W (Tc)
လည်ပတ်နေသော အပူချိန်
-55°C ~ 150°C (TJ)
တောင်စောင်း အမျိုးအစား
Through Hole
ထောက်ပံ့ပေးသူကိရိယာ ပက်ကေ့ခ်ျ
ITO-220
ပက်ကေ့ / အမှု
TO-220-3 Full Pack, Isolated Tab
အခြေခံ ထုတ်ကုန် နံပါတ်
TSM13
ဒေတာရွက်နှင့် құရစာရွက်များ
ဒေတာစာရွက်များ
ထပ်ဆောင်းအချက်အလက်
အခြားအမည်များ
TSM13ND50CI C0G
TSM13ND50CI RLG
1801-TSM13ND50CI
TSM13ND50CI-DG
စံချိန်တင် ပက်ကေ့ခ်ျ
50
ပတ်ဝန်းကျင်နှင့် နဲ့ကုန်ထုတ်လုပ်မှုအနှိပ် အမျိုးအစား
RoHS အခြေအနေ
ROHS3 Compliant
စိုထိုင်းမှုအာရုံခံမှု အဆင့် (MSL)
1 (Unlimited)
အခြေအနေ
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
DIGI Certification
သက်ဆိုင်ရာ မူလရောင်းအားများ
TSM015NA03CR RLG
MOSFET N-CH 30V 205A 8PDFN
TSM130NB06LCR RLG
MOSFET N-CH 60V 10A/51A 8PDFN
DMP2067LVT-13
MOSFET P-CH 20V 4.2A TSOT26