ထုတ်လုပ်သူထုတ်ကုန်နံပါတ်:
STP20N60M2-EP
Product Overview
ထုတ်လုပ်သူ:
STMicroelectronics
အပိုင်းနံပါတ်:
STP20N60M2-EP-DG
ဖေါ်ပြချက်:
MOSFET N-CHANNEL 600V 13A TO220
အသေးစိတ်ဖေါ်ပြချက်:
N-Channel 600 V 13A (Tc) 110W (Tc) Through Hole TO-220
စာရင်းထည့်သွင်းမှု:
12945623
ဈေးနှုန်းတောင်းဆိုပါ
ပမာဏ
အနိမ့္ဆုံး ၁
အနိမ့္ဆုံး ၁
rcDN
(*) တစုံတရာအရေးပါသည်
ကျွန်ုပ်တို့သည် ၂၄ နာရီအတွင်း သင်နှင့် ပြန်လိုက်မည်
ကျွန်ုပ်တို့သည် ၂၄ နာရီအတွင်း သင်နှင့် ပြန်လိုက်မည်
တင်သွင်းမည်
STP20N60M2-EP နည်းပညာအထူးပြုချက်များ
အမျိုးအစား
FETs, MOSFETs, အထူး FETs, MOSFETs
ထုတ်လုပ်သူ
STMicroelectronics
ထုပ်ပိုးခြင်း
Tube
စီးရီးများ
MDmesh™ M2-EP
ထုတ်ကုန်အခြေအနေ
Active
FET အမျိုးအစား
N-Channel
နည်းပညာ
MOSFET (Metal Oxide)
ရင်းမြစ် ဗောင့် (Vds) သို့ ထုတ်ယူပါ
600 V
လက်ရှိ - အဆက်မပြတ် ဒရင်း (id) @ 25°C
13A (Tc)
Drive Voltage (Max RdsOn, Max RdsOn)
10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
-
Vgs(th) (Max) @ Id
-
Vggs (Max)
±25V
FET အသွင်အပြင်
-
လျှပ်စစ်ဓာတ်အား ပြတ်တောက်ခြင်း (မက်စ်)
110W (Tc)
လည်ပတ်နေသော အပူချိန်
-
တောင်စောင်း အမျိုးအစား
Through Hole
ထောက်ပံ့ပေးသူကိရိယာ ပက်ကေ့ခ်ျ
TO-220
ပက်ကေ့ / အမှု
TO-220-3
အခြေခံ ထုတ်ကုန် နံပါတ်
STP20
ဒေတာရွက်နှင့် құရစာရွက်များ
ဒေတာစာရွက်များ
ထပ်ဆောင်းအချက်အလက်
စံချိန်တင် ပက်ကေ့ခ်ျ
1,000
ပတ်ဝန်းကျင်နှင့် နဲ့ကုန်ထုတ်လုပ်မှုအနှိပ် အမျိုးအစား
RoHS အခြေအနေ
ROHS3 Compliant
စိုထိုင်းမှုအာရုံခံမှု အဆင့် (MSL)
1 (Unlimited)
အခြေအနေ
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
အခြားမော်ဒယ်များ
အစိတ်အပိုင်းနံပါတ်
IPP80R280P7XKSA1
ထုတ်လုပ်သူ
Infineon Technologies
ရရှိနိုင်သည့် အရေအတွက်
483
DiGi အပိုင်းအမှတ်
IPP80R280P7XKSA1-DG
ယူနစ်စျေးနှုန်း
1.31
အစားထိုး အမျိုးအစား
Similar
အစိတ်အပိုင်းနံပါတ်
SPP15N60C3XKSA1
ထုတ်လုပ်သူ
Infineon Technologies
ရရှိနိုင်သည့် အရေအတွက်
451
DiGi အပိုင်းအမှတ်
SPP15N60C3XKSA1-DG
ယူနစ်စျေးနှုန်း
1.73
အစားထိုး အမျိုးအစား
Similar
DIGI Certification
သက်ဆိုင်ရာ မူလရောင်းအားများ
STP9NK70ZFP
MOSFET N-CH 700V 7.5A TO220FP
STL19N60M2
MOSFET N-CH 600V 11A PWRFLAT HV
STI10N62K3
MOSFET N-CH 620V 8.4A I2PAK
