ထုတ်လုပ်သူထုတ်ကုန်နံပါတ်:
STL18NM60N
Product Overview
ထုတ်လုပ်သူ:
STMicroelectronics
အပိုင်းနံပါတ်:
STL18NM60N-DG
ဖေါ်ပြချက်:
MOSFET N-CH 600V 6A POWERFLAT
အသေးစိတ်ဖေါ်ပြချက်:
N-Channel 600 V 2.1A (Ta), 12A (Tc) 3W (Ta), 110W (Tc) Surface Mount PowerFlat™ (8x8) HV
စာရင်းထည့်သွင်းမှု:
2686 ပစ္စည်း အသစ် မူရင်း ရှိသည်
12872789
ဈေးနှုန်းတောင်းဆိုပါ
ပမာဏ
အနိမ့္ဆုံး ၁
အနိမ့္ဆုံး ၁
43KV
(*) တစုံတရာအရေးပါသည်
ကျွန်ုပ်တို့သည် ၂၄ နာရီအတွင်း သင်နှင့် ပြန်လိုက်မည်
ကျွန်ုပ်တို့သည် ၂၄ နာရီအတွင်း သင်နှင့် ပြန်လိုက်မည်
တင်သွင်းမည်
STL18NM60N နည်းပညာအထူးပြုချက်များ
အမျိုးအစား
FETs, MOSFETs, အထူး FETs, MOSFETs
ထုတ်လုပ်သူ
STMicroelectronics
ထုပ်ပိုးခြင်း
Cut Tape (CT)
စီးရီးများ
MDmesh™ II
ထုတ်ကုန်အခြေအနေ
Obsolete
FET အမျိုးအစား
N-Channel
နည်းပညာ
MOSFET (Metal Oxide)
ရင်းမြစ် ဗောင့် (Vds) သို့ ထုတ်ယူပါ
600 V
လက်ရှိ - အဆက်မပြတ် ဒရင်း (id) @ 25°C
2.1A (Ta), 12A (Tc)
Drive Voltage (Max RdsOn, Max RdsOn)
10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
310mOhm @ 6A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
35 nC @ 10 V
Vggs (Max)
±30V
Input cpacance (Ciss) (Max) @ Vds
1000 pF @ 50 V
FET အသွင်အပြင်
-
လျှပ်စစ်ဓာတ်အား ပြတ်တောက်ခြင်း (မက်စ်)
3W (Ta), 110W (Tc)
လည်ပတ်နေသော အပူချိန်
150°C (TJ)
တောင်စောင်း အမျိုးအစား
Surface Mount
ထောက်ပံ့ပေးသူကိရိယာ ပက်ကေ့ခ်ျ
PowerFlat™ (8x8) HV
ပက်ကေ့ / အမှု
8-PowerVDFN
အခြေခံ ထုတ်ကုန် နံပါတ်
STL18
ဒေတာရွက်နှင့် құရစာရွက်များ
ဒေတာစာရွက်များ
ထပ်ဆောင်းအချက်အလက်
အခြားအမည်များ
-497-11847-6
-497-11847-2
497-11847-2
497-11847-1
497-11847-6
-497-11847-1
စံချိန်တင် ပက်ကေ့ခ်ျ
3,000
ပတ်ဝန်းကျင်နှင့် နဲ့ကုန်ထုတ်လုပ်မှုအနှိပ် အမျိုးအစား
RoHS အခြေအနေ
ROHS3 Compliant
စိုထိုင်းမှုအာရုံခံမှု အဆင့် (MSL)
3 (168 Hours)
အခြေအနေ
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
DIGI Certification
သက်ဆိုင်ရာ မူလရောင်းအားများ
STF20N60M2-EP
MOSFET N-CH 600V 13A TO220FP
STD13N60M2
MOSFET N-CH 600V 11A DPAK
STD3NK100Z
MOSFET N-CH 1000V 2.5A DPAK
