ထုတ်လုပ်သူထုတ်ကုန်နံပါတ်:
STI34N65M5
Product Overview
ထုတ်လုပ်သူ:
STMicroelectronics
အပိုင်းနံပါတ်:
STI34N65M5-DG
ဖေါ်ပြချက်:
MOSFET N-CH 650V 28A I2PAKFP
အသေးစိတ်ဖေါ်ပြချက်:
N-Channel 650 V 28A (Tc) 190W (Tc) Through Hole TO-281 (I2PAKFP)
စာရင်းထည့်သွင်းမှု:
991 ပစ္စည်း အသစ် မူရင်း ရှိသည်
12880287
ဈေးနှုန်းတောင်းဆိုပါ
ပမာဏ
အနိမ့္ဆုံး ၁
အနိမ့္ဆုံး ၁
fsO2
(*) တစုံတရာအရေးပါသည်
ကျွန်ုပ်တို့သည် ၂၄ နာရီအတွင်း သင်နှင့် ပြန်လိုက်မည်
ကျွန်ုပ်တို့သည် ၂၄ နာရီအတွင်း သင်နှင့် ပြန်လိုက်မည်
တင်သွင်းမည်
STI34N65M5 နည်းပညာအထူးပြုချက်များ
အမျိုးအစား
FETs, MOSFETs, အထူး FETs, MOSFETs
ထုတ်လုပ်သူ
STMicroelectronics
ထုပ်ပိုးခြင်း
Tube
စီးရီးများ
MDmesh™ V
ထုတ်ကုန်အခြေအနေ
Obsolete
FET အမျိုးအစား
N-Channel
နည်းပညာ
MOSFET (Metal Oxide)
ရင်းမြစ် ဗောင့် (Vds) သို့ ထုတ်ယူပါ
650 V
လက်ရှိ - အဆက်မပြတ် ဒရင်း (id) @ 25°C
28A (Tc)
Drive Voltage (Max RdsOn, Max RdsOn)
10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
110mOhm @ 14A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
5V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
62.5 nC @ 10 V
Vggs (Max)
±25V
Input cpacance (Ciss) (Max) @ Vds
2700 pF @ 100 V
FET အသွင်အပြင်
-
လျှပ်စစ်ဓာတ်အား ပြတ်တောက်ခြင်း (မက်စ်)
190W (Tc)
လည်ပတ်နေသော အပူချိန်
-55°C ~ 150°C (TJ)
တောင်စောင်း အမျိုးအစား
Through Hole
ထောက်ပံ့ပေးသူကိရိယာ ပက်ကေ့ခ်ျ
TO-281 (I2PAKFP)
ပက်ကေ့ / အမှု
TO-262-3 Full Pack, I2PAK
အခြေခံ ထုတ်ကုန် နံပါတ်
STI34N
ဒေတာရွက်နှင့် құရစာရွက်များ
ဒေတာစာရွက်များ
ထပ်ဆောင်းအချက်အလက်
အခြားအမည်များ
497-13439
-497-13439
စံချိန်တင် ပက်ကေ့ခ်ျ
50
ပတ်ဝန်းကျင်နှင့် နဲ့ကုန်ထုတ်လုပ်မှုအနှိပ် အမျိုးအစား
RoHS အခြေအနေ
ROHS3 Compliant
စိုထိုင်းမှုအာရုံခံမှု အဆင့် (MSL)
1 (Unlimited)
အခြေအနေ
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
အခြားမော်ဒယ်များ
အစိတ်အပိုင်းနံပါတ်
STP34N65M5
ထုတ်လုပ်သူ
STMicroelectronics
ရရှိနိုင်သည့် အရေအတွက်
241
DiGi အပိုင်းအမှတ်
STP34N65M5-DG
ယူနစ်စျေးနှုန်း
2.82
အစားထိုး အမျိုးအစား
Similar
DIGI Certification
သက်ဆိုင်ရာ မူလရောင်းအားများ
STW80NF55-08
MOSFET N-CH 55V 80A TO247-3
STD12N50M2
MOSFET N-CH 500V 10A DPAK
STW18NK60Z
MOSFET N-CH 600V 16A TO247-3
