ထုတ်လုပ်သူထုတ်ကုန်နံပါတ်:
2SD1803S-E
Product Overview
ထုတ်လုပ်သူ:
Sanyo
အပိုင်းနံပါတ်:
2SD1803S-E-DG
ဖေါ်ပြချက်:
NPN EPITAXIAL PLANAR SILICON TRA
အသေးစိတ်ဖေါ်ပြချက်:
Bipolar (BJT) Transistor NPN 50 V 5 A 180MHz 1 W Through Hole IPAK/TP
စာရင်းထည့်သွင်းမှု:
3000 ပစ္စည်း အသစ် မူရင်း ရှိသည်
12946092
ဈေးနှုန်းတောင်းဆိုပါ
ပမာဏ
အနိမ့္ဆုံး ၁
အနိမ့္ဆုံး ၁
fL7I
(*) တစုံတရာအရေးပါသည်
ကျွန်ုပ်တို့သည် ၂၄ နာရီအတွင်း သင်နှင့် ပြန်လိုက်မည်
ကျွန်ုပ်တို့သည် ၂၄ နာရီအတွင်း သင်နှင့် ပြန်လိုက်မည်
တင်သွင်းမည်
2SD1803S-E နည်းပညာအထူးပြုချက်များ
အမျိုးအစား
ဘိုလ်ပိုးလာ (BJT), တစ်ခါတစ်ရံဘိုင်ပိုလို Transistor များ
ထုတ်လုပ်သူ
ထုပ်ပိုးခြင်း
Bulk
စီးရီးများ
-
ထုတ်ကုန်အခြေအနေ
Active
ထရန်စစ္စတာ အမျိုးအစား
NPN
လက်ရှိ - စုဆောင်းသူ (ic) (Max)
5 A
ဓာတ်အား - စုဆောင်းသူ Emitter Breakdown (Max)
50 V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic
400mV @ 150mA, 3A
လက်ရှိ - စုဆောင်းရေး ကော်လီတာ ကတ်အော့ဖ် (Max)
1µA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (m) @ Ic, Vce
140 @ 500mA, 2V
စွမ်းအင် - Max
1 W
Frequency - transion
180MHz
လည်ပတ်နေသော အပူချိန်
150°C (TJ)
တောင်စောင်း အမျိုးအစား
Through Hole
ပက်ကေ့ / အမှု
TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
ထောက်ပံ့ပေးသူကိရိယာ ပက်ကေ့ခ်ျ
IPAK/TP
ဒေတာရွက်နှင့် құရစာရွက်များ
ဒေတာစာရွက်များ
ထပ်ဆောင်းအချက်အလက်
အခြားအမည်များ
2156-2SD1803S-E
ONSONS2SD1803S-E
စံချိန်တင် ပက်ကေ့ခ်ျ
461
ပတ်ဝန်းကျင်နှင့် နဲ့ကုန်ထုတ်လုပ်မှုအနှိပ် အမျိုးအစား
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0075
DIGI Certification
သက်ဆိုင်ရာ မူလရောင်းအားများ
2SD1802T-E
TRANS NPN 50V 5A TP
BC556BTA
SMALL SIGNAL BIPOLAR TRANSISTOR,
2SD1005-T1-AY
2SD1005 - SIGNAL DEVICE
