ထုတ်လုပ်သူထုတ်ကုန်နံပါတ်:
RF4C100BCTCR
Product Overview
ထုတ်လုပ်သူ:
Rohm Semiconductor
အပိုင်းနံပါတ်:
RF4C100BCTCR-DG
ဖေါ်ပြချက်:
MOSFET P-CH 20V 10A HUML2020L8
အသေးစိတ်ဖေါ်ပြချက်:
P-Channel 20 V 10A (Ta) 2W (Ta) Surface Mount HUML2020L8
စာရင်းထည့်သွင်းမှု:
2934 ပစ္စည်း အသစ် မူရင်း ရှိသည်
13524871
ဈေးနှုန်းတောင်းဆိုပါ
ပမာဏ
အနိမ့္ဆုံး ၁
အနိမ့္ဆုံး ၁
96xw
(*) တစုံတရာအရေးပါသည်
ကျွန်ုပ်တို့သည် ၂၄ နာရီအတွင်း သင်နှင့် ပြန်လိုက်မည်
ကျွန်ုပ်တို့သည် ၂၄ နာရီအတွင်း သင်နှင့် ပြန်လိုက်မည်
တင်သွင်းမည်
RF4C100BCTCR နည်းပညာအထူးပြုချက်များ
အမျိုးအစား
FETs, MOSFETs, အထူး FETs, MOSFETs
ထုတ်လုပ်သူ
ROHM Semiconductor
ထုပ်ပိုးခြင်း
Tape & Reel (TR)
စီးရီးများ
-
ထုတ်ကုန်အခြေအနေ
Active
FET အမျိုးအစား
P-Channel
နည်းပညာ
MOSFET (Metal Oxide)
ရင်းမြစ် ဗောင့် (Vds) သို့ ထုတ်ယူပါ
20 V
လက်ရှိ - အဆက်မပြတ် ဒရင်း (id) @ 25°C
10A (Ta)
Drive Voltage (Max RdsOn, Max RdsOn)
1.8V, 4.5V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
15.6mOhm @ 10A, 4.5V
Vgs(th) (Max) @ Id
1.2V @ 1mA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
23.5 nC @ 4.5 V
Vggs (Max)
±8V
Input cpacance (Ciss) (Max) @ Vds
1660 pF @ 10 V
FET အသွင်အပြင်
-
လျှပ်စစ်ဓာတ်အား ပြတ်တောက်ခြင်း (မက်စ်)
2W (Ta)
လည်ပတ်နေသော အပူချိန်
150°C (TJ)
တောင်စောင်း အမျိုးအစား
Surface Mount
ထောက်ပံ့ပေးသူကိရိယာ ပက်ကေ့ခ်ျ
HUML2020L8
ပက်ကေ့ / အမှု
8-PowerUDFN
အခြေခံ ထုတ်ကုန် နံပါတ်
RF4C100
ဒေတာရွက်နှင့် құရစာရွက်များ
ဒေတာစာရွက်များ
ထပ်ဆောင်းအချက်အလက်
အခြားအမည်များ
RF4C100BCTCRDKR
RF4C100BCTCRTR
RF4C100BCTCRCT
စံချိန်တင် ပက်ကေ့ခ်ျ
3,000
ပတ်ဝန်းကျင်နှင့် နဲ့ကုန်ထုတ်လုပ်မှုအနှိပ် အမျိုးအစား
RoHS အခြေအနေ
ROHS3 Compliant
စိုထိုင်းမှုအာရုံခံမှု အဆင့် (MSL)
1 (Unlimited)
အခြေအနေ
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
အခြားမော်ဒယ်များ
အစိတ်အပိုင်းနံပါတ်
PMPB19XP,115
ထုတ်လုပ်သူ
Nexperia USA Inc.
ရရှိနိုင်သည့် အရေအတွက်
1995
DiGi အပိုင်းအမှတ်
PMPB19XP,115-DG
ယူနစ်စျေးနှုန်း
0.11
အစားထိုး အမျိုးအစား
Similar
DIGI Certification
သက်ဆိုင်ရာ မူလရောင်းအားများ
RQ5E065AJTCL
MOSFET N-CH 30V 6.5A TSMT3
RF4E080GNTR
MOSFET N-CH 30V 8A HUML2020L8
RQ5E070BNTCL
MOSFET N-CH 30V 7A TSMT3
