ထုတ်လုပ်သူထုတ်ကုန်နံပါတ်:
IMB4AT110
Product Overview
ထုတ်လုပ်သူ:
Rohm Semiconductor
အပိုင်းနံပါတ်:
IMB4AT110-DG
ဖေါ်ပြချက်:
TRANS PREBIAS DUAL PNP SMT6
အသေးစိတ်ဖေါ်ပြချက်:
Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) 2 PNP - Pre-Biased (Dual) 50V 100mA 250MHz 300mW Surface Mount SMT6
စာရင်းထည့်သွင်းမှု:
13526242
ဈေးနှုန်းတောင်းဆိုပါ
ပမာဏ
အနိမ့္ဆုံး ၁
အနိမ့္ဆုံး ၁
yx7J
(*) တစုံတရာအရေးပါသည်
ကျွန်ုပ်တို့သည် ၂၄ နာရီအတွင်း သင်နှင့် ပြန်လိုက်မည်
ကျွန်ုပ်တို့သည် ၂၄ နာရီအတွင်း သင်နှင့် ပြန်လိုက်မည်
တင်သွင်းမည်
IMB4AT110 နည်းပညာအထူးပြုချက်များ
အမျိုးအစား
ဘိုလ်ပိုးလာ (BJT), ဗျူဖိုလ်ထရမ်းဇစ်တာအစုအပြုံများ၊ အရင်လက်မေ့ထားသည်
ထုတ်လုပ်သူ
ROHM Semiconductor
ထုပ်ပိုးခြင်း
Tape & Reel (TR)
စီးရီးများ
-
ထုတ်ကုန်အခြေအနေ
Not For New Designs
ထရန်စစ္စတာ အမျိုးအစား
2 PNP - Pre-Biased (Dual)
လက်ရှိ - စုဆောင်းသူ (ic) (Max)
100mA
ဓာတ်အား - စုဆောင်းသူ Emitter Breakdown (Max)
50V
ခုခံ - အခြေစိုက် (R1)
10kOhms
ခုခံ - Emitter Base (R2)
-
DC Current Gain (hFE) (m) @ Ic, Vce
100 @ 1mA, 5V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic
300mV @ 1mA, 10mA
လက်ရှိ - စုဆောင်းရေး ကော်လီတာ ကတ်အော့ဖ် (Max)
-
Frequency - transion
250MHz
စွမ်းအင် - Max
300mW
တောင်စောင်း အမျိုးအစား
Surface Mount
ပက်ကေ့ / အမှု
SC-74, SOT-457
ထောက်ပံ့ပေးသူကိရိယာ ပက်ကေ့ခ်ျ
SMT6
အခြေခံ ထုတ်ကုန် နံပါတ်
IMB4
ဒေတာရွက်နှင့် құရစာရွက်များ
ဒေတာစာရွက်များ
ထပ်ဆောင်းအချက်အလက်
အခြားအမည်များ
IMB4AT110TR
IMB4AT110DKR
IMB4AT110-ND
IMB4AT110CT
စံချိန်တင် ပက်ကေ့ခ်ျ
3,000
ပတ်ဝန်းကျင်နှင့် နဲ့ကုန်ထုတ်လုပ်မှုအနှိပ် အမျိုးအစား
RoHS အခြေအနေ
ROHS3 Compliant
စိုထိုင်းမှုအာရုံခံမှု အဆင့် (MSL)
1 (Unlimited)
အခြေအနေ
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.21.0095
အခြားမော်ဒယ်များ
အစိတ်အပိုင်းနံပါတ်
DDA114TU-7-F
ထုတ်လုပ်သူ
Diodes Incorporated
ရရှိနိုင်သည့် အရေအတွက်
4294
DiGi အပိုင်းအမှတ်
DDA114TU-7-F-DG
ယူနစ်စျေးနှုန်း
0.03
အစားထိုး အမျိုးအစား
Similar
DIGI Certification
သက်ဆိုင်ရာ မူလရောင်းအားများ
UMB4NFHATN
PNP+PNP DIGITAL TRANSISTOR (CORR
UMD5NTR
TRANS NPN/PNP PREBIAS UMT6
UMG7NTR
TRANS 2NPN PREBIAS 0.15W UMT5
