ထုတ်လုပ်သူထုတ်ကုန်နံပါတ်:
SI9955DY
Product Overview
ထုတ်လုပ်သူ:
onsemi
အပိုင်းနံပါတ်:
SI9955DY-DG
ဖေါ်ပြချက်:
MOSFET 2N-CH 50V 3A 8SOIC
အသေးစိတ်ဖေါ်ပြချက်:
Mosfet Array 50V 3A 900mW Surface Mount 8-SOIC
စာရင်းထည့်သွင်းမှု:
12847460
ဈေးနှုန်းတောင်းဆိုပါ
ပမာဏ
အနိမ့္ဆုံး ၁
အနိမ့္ဆုံး ၁
(*) တစုံတရာအရေးပါသည်
ကျွန်ုပ်တို့သည် ၂၄ နာရီအတွင်း သင်နှင့် ပြန်လိုက်မည်
ကျွန်ုပ်တို့သည် ၂၄ နာရီအတွင်း သင်နှင့် ပြန်လိုက်မည်
တင်သွင်းမည်
SI9955DY နည်းပညာအထူးပြုချက်များ
အမျိုးအစား
FETs, MOSFETs, FET, MOSFET အစုများ
ထုတ်လုပ်သူ
onsemi
ထုပ်ပိုးခြင်း
-
စီးရီးများ
-
ထုတ်ကုန်အခြေအနေ
Obsolete
နည်းပညာ
MOSFET (Metal Oxide)
ဖွဲ့စည်းတည်ဆောက်ခြင်း
2 N-Channel (Dual)
FET အသွင်အပြင်
-
ရင်းမြစ် ဗောင့် (Vds) သို့ ထုတ်ယူပါ
50V
လက်ရှိ - အဆက်မပြတ် ဒရင်း (id) @ 25°C
3A
Rds On (Max) @ Id, Vgs
130mOhm @ 3A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
1V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
30nC @ 10V
Input cpacance (Ciss) (Max) @ Vds
345pF @ 15V
စွမ်းအင် - Max
900mW
လည်ပတ်နေသော အပူချိန်
-55°C ~ 150°C (TJ)
တောင်စောင်း အမျိုးအစား
Surface Mount
ပက်ကေ့ / အမှု
8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
ထောက်ပံ့ပေးသူကိရိယာ ပက်ကေ့ခ်ျ
8-SOIC
အခြေခံ ထုတ်ကုန် နံပါတ်
SI9955
ဒေတာရွက်နှင့် құရစာရွက်များ
ဒေတာစာရွက်များ
HTML ဒေတာရှက်
ထပ်ဆောင်းအချက်အလက်
အခြားအမည်များ
SI9955DYTR-NDR
SI9955DYCT
SI9955DYCT-NDR
SI9955DYDKR
SI9955DYTR
စံချိန်တင် ပက်ကေ့ခ်ျ
2,500
ပတ်ဝန်းကျင်နှင့် နဲ့ကုန်ထုတ်လုပ်မှုအနှိပ် အမျိုးအစား
စိုထိုင်းမှုအာရုံခံမှု အဆင့် (MSL)
1 (Unlimited)
အခြေအနေ
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.21.0095
အခြားမော်ဒယ်များ
အစိတ်အပိုင်းနံပါတ်
IRF7103TRPBF
ထုတ်လုပ်သူ
Infineon Technologies
ရရှိနိုင်သည့် အရေအတွက်
9567
DiGi အပိုင်းအမှတ်
IRF7103TRPBF-DG
ယူနစ်စျေးနှုန်း
0.29
အစားထိုး အမျိုးအစား
Direct
အစိတ်အပိုင်းနံပါတ်
AUIRF7103QTR
ထုတ်လုပ်သူ
Infineon Technologies
ရရှိနိုင်သည့် အရေအတွက်
0
DiGi အပိုင်းအမှတ်
AUIRF7103QTR-DG
ယူနစ်စျေးနှုန်း
1.45
အစားထိုး အမျိုးအစား
Similar
DIGI Certification
သက်ဆိုင်ရာ မူလရောင်းအားများ
NTJD4152PT1
MOSFET 2P-CH 20V 0.88A SC88
FD6M043N08
MOSFET 2N-CH 75V 65A EPM15
FDD8424H-F085A
MOSFET N/P-CH 40V 9A/6.5A TO252
