ထုတ်လုပ်သူထုတ်ကုန်နံပါတ်:
NTHD3100CT1G
Product Overview
ထုတ်လုပ်သူ:
onsemi
အပိုင်းနံပါတ်:
NTHD3100CT1G-DG
ဖေါ်ပြချက်:
MOSFET N/P-CH 20V 2.9A CHIPFET
အသေးစိတ်ဖေါ်ပြချက်:
Mosfet Array 20V 2.9A, 3.2A 1.1W Surface Mount ChipFET™
စာရင်းထည့်သွင်းမှု:
5410 ပစ္စည်း အသစ် မူရင်း ရှိသည်
12841840
ဈေးနှုန်းတောင်းဆိုပါ
ပမာဏ
အနိမ့္ဆုံး ၁
အနိမ့္ဆုံး ၁
4eQL
(*) တစုံတရာအရေးပါသည်
ကျွန်ုပ်တို့သည် ၂၄ နာရီအတွင်း သင်နှင့် ပြန်လိုက်မည်
ကျွန်ုပ်တို့သည် ၂၄ နာရီအတွင်း သင်နှင့် ပြန်လိုက်မည်
တင်သွင်းမည်
NTHD3100CT1G နည်းပညာအထူးပြုချက်များ
အမျိုးအစား
FETs, MOSFETs, FET, MOSFET အစုများ
ထုတ်လုပ်သူ
onsemi
ထုပ်ပိုးခြင်း
Tape & Reel (TR)
စီးရီးများ
-
ထုတ်ကုန်အခြေအနေ
Active
နည်းပညာ
MOSFET (Metal Oxide)
ဖွဲ့စည်းတည်ဆောက်ခြင်း
N and P-Channel
FET အသွင်အပြင်
Logic Level Gate
ရင်းမြစ် ဗောင့် (Vds) သို့ ထုတ်ယူပါ
20V
လက်ရှိ - အဆက်မပြတ် ဒရင်း (id) @ 25°C
2.9A, 3.2A
Rds On (Max) @ Id, Vgs
80mOhm @ 2.9A, 4.5V
Vgs(th) (Max) @ Id
1.2V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
2.3nC @ 4.5V
Input cpacance (Ciss) (Max) @ Vds
165pF @ 10V
စွမ်းအင် - Max
1.1W
လည်ပတ်နေသော အပူချိန်
-55°C ~ 150°C (TJ)
တောင်စောင်း အမျိုးအစား
Surface Mount
ပက်ကေ့ / အမှု
8-SMD, Flat Lead
ထောက်ပံ့ပေးသူကိရိယာ ပက်ကေ့ခ်ျ
ChipFET™
အခြေခံ ထုတ်ကုန် နံပါတ်
NTHD3100
ဒေတာရွက်နှင့် құရစာရွက်များ
ဒေတာစာရွက်များ
HTML ဒေတာရှက်
ထပ်ဆောင်းအချက်အလက်
အခြားအမည်များ
NTHD3100CT1GOSTR
NTHD3100CT1GOSCT
NTHD3100CT1GOSDKR
စံချိန်တင် ပက်ကေ့ခ်ျ
3,000
ပတ်ဝန်းကျင်နှင့် နဲ့ကုန်ထုတ်လုပ်မှုအနှိပ် အမျိုးအစား
RoHS အခြေအနေ
ROHS3 Compliant
စိုထိုင်းမှုအာရုံခံမှု အဆင့် (MSL)
1 (Unlimited)
အခြေအနေ
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
DIGI Certification
သက်ဆိုင်ရာ မူလရောင်းအားများ
NTHD5903T1G
MOSFET 2P-CH 20V 2.2A CHIPFET
MCH6603-TL-H
MOSFET 2P-CH 50V 0.14A 6MCPH
NVMFD5C668NLT1G
MOSFET 2N-CH 60V 15.5A/68A 8DFN
