ထုတ်လုပ်သူထုတ်ကုန်နံပါတ်:
NTD4857N-1G
Product Overview
ထုတ်လုပ်သူ:
onsemi
အပိုင်းနံပါတ်:
NTD4857N-1G-DG
ဖေါ်ပြချက်:
MOSFET N-CH 25V 12A/78A IPAK
အသေးစိတ်ဖေါ်ပြချက်:
N-Channel 25 V 12A (Ta), 78A (Tc) 1.31W (Ta), 56.6W (Tc) Through Hole I-PAK
စာရင်းထည့်သွင်းမှု:
12859860
ဈေးနှုန်းတောင်းဆိုပါ
ပမာဏ
အနိမ့္ဆုံး ၁
အနိမ့္ဆုံး ၁
(*) တစုံတရာအရေးပါသည်
ကျွန်ုပ်တို့သည် ၂၄ နာရီအတွင်း သင်နှင့် ပြန်လိုက်မည်
ကျွန်ုပ်တို့သည် ၂၄ နာရီအတွင်း သင်နှင့် ပြန်လိုက်မည်
တင်သွင်းမည်
NTD4857N-1G နည်းပညာအထူးပြုချက်များ
အမျိုးအစား
FETs, MOSFETs, အထူး FETs, MOSFETs
ထုတ်လုပ်သူ
onsemi
ထုပ်ပိုးခြင်း
-
စီးရီးများ
-
ထုတ်ကုန်အခြေအနေ
Obsolete
FET အမျိုးအစား
N-Channel
နည်းပညာ
MOSFET (Metal Oxide)
ရင်းမြစ် ဗောင့် (Vds) သို့ ထုတ်ယူပါ
25 V
လက်ရှိ - အဆက်မပြတ် ဒရင်း (id) @ 25°C
12A (Ta), 78A (Tc)
Drive Voltage (Max RdsOn, Max RdsOn)
4.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
5.7mOhm @ 30A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
2.5V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
24 nC @ 4.5 V
Vggs (Max)
±20V
Input cpacance (Ciss) (Max) @ Vds
1960 pF @ 12 V
FET အသွင်အပြင်
-
လျှပ်စစ်ဓာတ်အား ပြတ်တောက်ခြင်း (မက်စ်)
1.31W (Ta), 56.6W (Tc)
လည်ပတ်နေသော အပူချိန်
-55°C ~ 175°C (TJ)
တောင်စောင်း အမျိုးအစား
Through Hole
ထောက်ပံ့ပေးသူကိရိယာ ပက်ကေ့ခ်ျ
I-PAK
ပက်ကေ့ / အမှု
TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
အခြေခံ ထုတ်ကုန် နံပါတ်
NTD48
ဒေတာရွက်နှင့် құရစာရွက်များ
ဒေတာစာရွက်များ
HTML ဒေတာရှက်
ထပ်ဆောင်းအချက်အလက်
အခြားအမည်များ
ONSONSNTD4857N-1G
2156-NTD4857N-1G-ON
စံချိန်တင် ပက်ကေ့ခ်ျ
75
ပတ်ဝန်းကျင်နှင့် နဲ့ကုန်ထုတ်လုပ်မှုအနှိပ် အမျိုးအစား
စိုထိုင်းမှုအာရုံခံမှု အဆင့် (MSL)
1 (Unlimited)
အခြေအနေ
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
အခြားမော်ဒယ်များ
အစိတ်အပိုင်းနံပါတ်
PHT6NQ10T,135
ထုတ်လုပ်သူ
Nexperia USA Inc.
ရရှိနိုင်သည့် အရေအတွက်
4949
DiGi အပိုင်းအမှတ်
PHT6NQ10T,135-DG
ယူနစ်စျေးနှုန်း
0.28
အစားထိုး အမျိုးအစား
Similar
DIGI Certification
သက်ဆိုင်ရာ မူလရောင်းအားများ
NVTFS6H880NWFTAG
MOSFET N-CH 80V 6.3A/21A 8WDFN
NDP4060
MOSFET N-CH 60V 15A TO220-3
NTTFS015P03P8ZTWG
MOSFET P-CH 30V 13.4A/47.6A 8DFN
