ထုတ်လုပ်သူထုတ်ကုန်နံပါတ်:
MBT35200MT1G
Product Overview
ထုတ်လုပ်သူ:
onsemi
အပိုင်းနံပါတ်:
MBT35200MT1G-DG
ဖေါ်ပြချက်:
TRANS PNP 35V 2A 6TSOP
အသေးစိတ်ဖေါ်ပြချက်:
Bipolar (BJT) Transistor PNP 35 V 2 A 100MHz 625 mW Surface Mount 6-TSOP
စာရင်းထည့်သွင်းမှု:
2906 ပစ္စည်း အသစ် မူရင်း ရှိသည်
12856073
ဈေးနှုန်းတောင်းဆိုပါ
ပမာဏ
အနိမ့္ဆုံး ၁
အနိမ့္ဆုံး ၁
(*) တစုံတရာအရေးပါသည်
ကျွန်ုပ်တို့သည် ၂၄ နာရီအတွင်း သင်နှင့် ပြန်လိုက်မည်
ကျွန်ုပ်တို့သည် ၂၄ နာရီအတွင်း သင်နှင့် ပြန်လိုက်မည်
တင်သွင်းမည်
MBT35200MT1G နည်းပညာအထူးပြုချက်များ
အမျိုးအစား
ဘိုလ်ပိုးလာ (BJT), တစ်ခါတစ်ရံဘိုင်ပိုလို Transistor များ
ထုတ်လုပ်သူ
onsemi
ထုပ်ပိုးခြင်း
Tape & Reel (TR)
စီးရီးများ
-
ထုတ်ကုန်အခြေအနေ
Active
ထရန်စစ္စတာ အမျိုးအစား
PNP
လက်ရှိ - စုဆောင်းသူ (ic) (Max)
2 A
ဓာတ်အား - စုဆောင်းသူ Emitter Breakdown (Max)
35 V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic
310mV @ 20mA, 2A
လက်ရှိ - စုဆောင်းရေး ကော်လီတာ ကတ်အော့ဖ် (Max)
100nA
DC Current Gain (hFE) (m) @ Ic, Vce
100 @ 1.5A, 1.5V
စွမ်းအင် - Max
625 mW
Frequency - transion
100MHz
လည်ပတ်နေသော အပူချိန်
-55°C ~ 150°C (TJ)
တောင်စောင်း အမျိုးအစား
Surface Mount
ပက်ကေ့ / အမှု
SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
ထောက်ပံ့ပေးသူကိရိယာ ပက်ကေ့ခ်ျ
6-TSOP
အခြေခံ ထုတ်ကုန် နံပါတ်
MBT35200
ဒေတာရွက်နှင့် құရစာရွက်များ
ဒေတာစာရွက်များ
HTML ဒေတာရှက်
ထပ်ဆောင်းအချက်အလက်
အခြားအမည်များ
MBT35200MT1GOSDKR
ONSONSMBT35200MT1G
=MBT35200MT1GOSCT-DG
MBT35200MT1GOS-DG
2156-MBT35200MT1G-OS
MBT35200MT1GOS
MBT35200MT1GOSCT
MBT35200MT1GOSTR
စံချိန်တင် ပက်ကေ့ခ်ျ
3,000
ပတ်ဝန်းကျင်နှင့် နဲ့ကုန်ထုတ်လုပ်မှုအနှိပ် အမျိုးအစား
RoHS အခြေအနေ
ROHS3 Compliant
စိုထိုင်းမှုအာရုံခံမှု အဆင့် (MSL)
1 (Unlimited)
အခြေအနေ
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.21.0075
အခြားမော်ဒယ်များ
အစိတ်အပိုင်းနံပါတ်
SNSS35200MR6T1G
ထုတ်လုပ်သူ
onsemi
ရရှိနိုင်သည့် အရေအတွက်
3000
DiGi အပိုင်းအမှတ်
SNSS35200MR6T1G-DG
ယူနစ်စျေးနှုန်း
0.18
အစားထိုး အမျိုးအစား
Parametric Equivalent
အစိတ်အပိုင်းနံပါတ်
NSS35200MR6T1G
ထုတ်လုပ်သူ
onsemi
ရရှိနိုင်သည့် အရေအတွက်
3547
DiGi အပိုင်းအမှတ်
NSS35200MR6T1G-DG
ယူနစ်စျေးနှုန်း
0.16
အစားထိုး အမျိုးအစား
Parametric Equivalent
DIGI Certification
သက်ဆိုင်ရာ မူလရောင်းအားများ
