ထုတ်လုပ်သူထုတ်ကုန်နံပါတ်:
FQB34N20LTM
Product Overview
ထုတ်လုပ်သူ:
onsemi
အပိုင်းနံပါတ်:
FQB34N20LTM-DG
ဖေါ်ပြချက်:
MOSFET N-CH 200V 31A D2PAK
အသေးစိတ်ဖေါ်ပြချက်:
N-Channel 200 V 31A (Tc) 3.13W (Ta), 180W (Tc) Surface Mount TO-263 (D2PAK)
စာရင်းထည့်သွင်းမှု:
12850137
ဈေးနှုန်းတောင်းဆိုပါ
ပမာဏ
အနိမ့္ဆုံး ၁
အနိမ့္ဆုံး ၁
(*) တစုံတရာအရေးပါသည်
ကျွန်ုပ်တို့သည် ၂၄ နာရီအတွင်း သင်နှင့် ပြန်လိုက်မည်
ကျွန်ုပ်တို့သည် ၂၄ နာရီအတွင်း သင်နှင့် ပြန်လိုက်မည်
တင်သွင်းမည်
FQB34N20LTM နည်းပညာအထူးပြုချက်များ
အမျိုးအစား
FETs, MOSFETs, အထူး FETs, MOSFETs
ထုတ်လုပ်သူ
onsemi
ထုပ်ပိုးခြင်း
Tape & Reel (TR)
စီးရီးများ
QFET®
ထုတ်ကုန်အခြေအနေ
Active
FET အမျိုးအစား
N-Channel
နည်းပညာ
MOSFET (Metal Oxide)
ရင်းမြစ် ဗောင့် (Vds) သို့ ထုတ်ယူပါ
200 V
လက်ရှိ - အဆက်မပြတ် ဒရင်း (id) @ 25°C
31A (Tc)
Drive Voltage (Max RdsOn, Max RdsOn)
5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
75mOhm @ 15.5A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
2V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
72 nC @ 5 V
Vggs (Max)
±20V
Input cpacance (Ciss) (Max) @ Vds
3900 pF @ 25 V
FET အသွင်အပြင်
-
လျှပ်စစ်ဓာတ်အား ပြတ်တောက်ခြင်း (မက်စ်)
3.13W (Ta), 180W (Tc)
လည်ပတ်နေသော အပူချိန်
-55°C ~ 150°C (TJ)
တောင်စောင်း အမျိုးအစား
Surface Mount
ထောက်ပံ့ပေးသူကိရိယာ ပက်ကေ့ခ်ျ
TO-263 (D2PAK)
ပက်ကေ့ / အမှု
TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
အခြေခံ ထုတ်ကုန် နံပါတ်
FQB34N20
ဒေတာရွက်နှင့် құရစာရွက်များ
ဒေတာစာရွက်များ
HTML ဒေတာရှက်
ထပ်ဆောင်းအချက်အလက်
အခြားအမည်များ
FQB34N20LTMTR
FQB34N20LTM-DG
FQB34N20LTMCT
FQB34N20LTMDKR
စံချိန်တင် ပက်ကေ့ခ်ျ
800
ပတ်ဝန်းကျင်နှင့် နဲ့ကုန်ထုတ်လုပ်မှုအနှိပ် အမျိုးအစား
RoHS အခြေအနေ
ROHS3 Compliant
စိုထိုင်းမှုအာရုံခံမှု အဆင့် (MSL)
1 (Unlimited)
အခြေအနေ
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
အခြားမော်ဒယ်များ
အစိတ်အပိုင်းနံပါတ်
FCB070N65S3
ထုတ်လုပ်သူ
onsemi
ရရှိနိုင်သည့် အရေအတွက်
375
DiGi အပိုင်းအမှတ်
FCB070N65S3-DG
ယူနစ်စျေးနှုန်း
3.04
အစားထိုး အမျိုးအစား
MFR Recommended
DIGI Certification
သက်ဆိုင်ရာ မူလရောင်းအားများ
AO3160
MOSFET N-CH 600V 40MA SOT23-3
FQP3P20
MOSFET P-CH 200V 2.8A TO220-3
AON6314
MOSFET N-CHANNEL 30V 85A 8DFN