ထုတ်လုပ်သူထုတ်ကုန်နံပါတ်:
FDT86106LZ
Product Overview
ထုတ်လုပ်သူ:
onsemi
အပိုင်းနံပါတ်:
FDT86106LZ-DG
ဖေါ်ပြချက်:
MOSFET N-CH 100V 3.2A SOT223-4
အသေးစိတ်ဖေါ်ပြချက်:
N-Channel 100 V 3.2A (Ta) 2.2W (Ta) Surface Mount SOT-223-4
စာရင်းထည့်သွင်းမှု:
22653 ပစ္စည်း အသစ် မူရင်း ရှိသည်
12848548
ဈေးနှုန်းတောင်းဆိုပါ
ပမာဏ
အနိမ့္ဆုံး ၁
အနိမ့္ဆုံး ၁
ZDZb
(*) တစုံတရာအရေးပါသည်
ကျွန်ုပ်တို့သည် ၂၄ နာရီအတွင်း သင်နှင့် ပြန်လိုက်မည်
ကျွန်ုပ်တို့သည် ၂၄ နာရီအတွင်း သင်နှင့် ပြန်လိုက်မည်
တင်သွင်းမည်
FDT86106LZ နည်းပညာအထူးပြုချက်များ
အမျိုးအစား
FETs, MOSFETs, အထူး FETs, MOSFETs
ထုတ်လုပ်သူ
onsemi
ထုပ်ပိုးခြင်း
Tape & Reel (TR)
စီးရီးများ
PowerTrench®
ထုတ်ကုန်အခြေအနေ
Active
FET အမျိုးအစား
N-Channel
နည်းပညာ
MOSFET (Metal Oxide)
ရင်းမြစ် ဗောင့် (Vds) သို့ ထုတ်ယူပါ
100 V
လက်ရှိ - အဆက်မပြတ် ဒရင်း (id) @ 25°C
3.2A (Ta)
Drive Voltage (Max RdsOn, Max RdsOn)
4.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
108mOhm @ 3.2A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
2.2V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
7 nC @ 10 V
Vggs (Max)
±20V
Input cpacance (Ciss) (Max) @ Vds
315 pF @ 50 V
FET အသွင်အပြင်
-
လျှပ်စစ်ဓာတ်အား ပြတ်တောက်ခြင်း (မက်စ်)
2.2W (Ta)
လည်ပတ်နေသော အပူချိန်
-55°C ~ 150°C (TJ)
တောင်စောင်း အမျိုးအစား
Surface Mount
ထောက်ပံ့ပေးသူကိရိယာ ပက်ကေ့ခ်ျ
SOT-223-4
ပက်ကေ့ / အမှု
TO-261-4, TO-261AA
အခြေခံ ထုတ်ကုန် နံပါတ်
FDT86106
ဒေတာရွက်နှင့် құရစာရွက်များ
ဒေတာစာရွက်များ
HTML ဒေတာရှက်
ထပ်ဆောင်းအချက်အလက်
အခြားအမည်များ
FDT86106LZ-DG
FDT86106LZTR
FDT86106LZCT
2156-FDT86106LZ-OS
FDT86106LZDKR
ONSONSFDT86106LZ
စံချိန်တင် ပက်ကေ့ခ်ျ
4,000
ပတ်ဝန်းကျင်နှင့် နဲ့ကုန်ထုတ်လုပ်မှုအနှိပ် အမျိုးအစား
RoHS အခြေအနေ
ROHS3 Compliant
စိုထိုင်းမှုအာရုံခံမှု အဆင့် (MSL)
1 (Unlimited)
အခြေအနေ
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
DIGI Certification
သက်ဆိုင်ရာ မူလရောင်းအားများ
AON6264E
MOSFET N-CH 60V 28A 8DFN
FCU900N60Z
MOSFET N-CH 600V 4.5A IPAK
FQPF6N90
MOSFET N-CH 900V 3.4A TO220F
