ထုတ်လုပ်သူထုတ်ကုန်နံပါတ်:
FDT86102LZ
Product Overview
ထုတ်လုပ်သူ:
onsemi
အပိုင်းနံပါတ်:
FDT86102LZ-DG
ဖေါ်ပြချက်:
MOSFET N-CH 100V 6.6A SOT223-4
အသေးစိတ်ဖေါ်ပြချက်:
N-Channel 100 V 6.6A (Ta) 2.2W (Ta) Surface Mount SOT-223-4
စာရင်းထည့်သွင်းမှု:
7191 ပစ္စည်း အသစ် မူရင်း ရှိသည်
12848072
ဈေးနှုန်းတောင်းဆိုပါ
ပမာဏ
အနိမ့္ဆုံး ၁
အနိမ့္ဆုံး ၁
(*) တစုံတရာအရေးပါသည်
ကျွန်ုပ်တို့သည် ၂၄ နာရီအတွင်း သင်နှင့် ပြန်လိုက်မည်
ကျွန်ုပ်တို့သည် ၂၄ နာရီအတွင်း သင်နှင့် ပြန်လိုက်မည်
တင်သွင်းမည်
FDT86102LZ နည်းပညာအထူးပြုချက်များ
အမျိုးအစား
FETs, MOSFETs, အထူး FETs, MOSFETs
ထုတ်လုပ်သူ
onsemi
ထုပ်ပိုးခြင်း
Tape & Reel (TR)
စီးရီးများ
PowerTrench®
ထုတ်ကုန်အခြေအနေ
Active
FET အမျိုးအစား
N-Channel
နည်းပညာ
MOSFET (Metal Oxide)
ရင်းမြစ် ဗောင့် (Vds) သို့ ထုတ်ယူပါ
100 V
လက်ရှိ - အဆက်မပြတ် ဒရင်း (id) @ 25°C
6.6A (Ta)
Drive Voltage (Max RdsOn, Max RdsOn)
4.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
28mOhm @ 6.6A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
3V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
25 nC @ 10 V
Vggs (Max)
±20V
Input cpacance (Ciss) (Max) @ Vds
1490 pF @ 50 V
FET အသွင်အပြင်
-
လျှပ်စစ်ဓာတ်အား ပြတ်တောက်ခြင်း (မက်စ်)
2.2W (Ta)
လည်ပတ်နေသော အပူချိန်
-55°C ~ 150°C (TJ)
တောင်စောင်း အမျိုးအစား
Surface Mount
ထောက်ပံ့ပေးသူကိရိယာ ပက်ကေ့ခ်ျ
SOT-223-4
ပက်ကေ့ / အမှု
TO-261-4, TO-261AA
အခြေခံ ထုတ်ကုန် နံပါတ်
FDT86102
ဒေတာရွက်နှင့် құရစာရွက်များ
ဒေတာစာရွက်များ
HTML ဒေတာရှက်
ထပ်ဆောင်းအချက်အလက်
အခြားအမည်များ
FDT86102LZ-DG
FDT86102LZFSTR
FDT86102LZFSCT
FDT86102LZFSDKR
စံချိန်တင် ပက်ကေ့ခ်ျ
4,000
ပတ်ဝန်းကျင်နှင့် နဲ့ကုန်ထုတ်လုပ်မှုအနှိပ် အမျိုးအစား
RoHS အခြေအနေ
ROHS3 Compliant
စိုထိုင်းမှုအာရုံခံမှု အဆင့် (MSL)
1 (Unlimited)
အခြေအနေ
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
DIGI Certification
သက်ဆိုင်ရာ မူလရောင်းအားများ
NTD4863NAT4G
MOSFET N-CH 25V 9.2A/49A DPAK
FDFS6N303
MOSFET N-CH 30V 6A 8SOIC
FQB5N50CTM
MOSFET N-CH 500V 5A D2PAK