ထုတ်လုပ်သူထုတ်ကုန်နံပါတ်:
FDS89161
Product Overview
ထုတ်လုပ်သူ:
onsemi
အပိုင်းနံပါတ်:
FDS89161-DG
ဖေါ်ပြချက်:
MOSFET 2N-CH 100V 2.7A 8SOIC
အသေးစိတ်ဖေါ်ပြချက်:
Mosfet Array 100V 2.7A 1.6W Surface Mount 8-SOIC
စာရင်းထည့်သွင်းမှု:
22674 ပစ္စည်း အသစ် မူရင်း ရှိသည်
12837663
ဈေးနှုန်းတောင်းဆိုပါ
ပမာဏ
အနိမ့္ဆုံး ၁
အနိမ့္ဆုံး ၁
(*) တစုံတရာအရေးပါသည်
ကျွန်ုပ်တို့သည် ၂၄ နာရီအတွင်း သင်နှင့် ပြန်လိုက်မည်
ကျွန်ုပ်တို့သည် ၂၄ နာရီအတွင်း သင်နှင့် ပြန်လိုက်မည်
တင်သွင်းမည်
FDS89161 နည်းပညာအထူးပြုချက်များ
အမျိုးအစား
FETs, MOSFETs, FET, MOSFET အစုများ
ထုတ်လုပ်သူ
onsemi
ထုပ်ပိုးခြင်း
Tape & Reel (TR)
စီးရီးများ
PowerTrench®
ထုတ်ကုန်အခြေအနေ
Active
နည်းပညာ
MOSFET (Metal Oxide)
ဖွဲ့စည်းတည်ဆောက်ခြင်း
2 N-Channel (Dual)
FET အသွင်အပြင်
-
ရင်းမြစ် ဗောင့် (Vds) သို့ ထုတ်ယူပါ
100V
လက်ရှိ - အဆက်မပြတ် ဒရင်း (id) @ 25°C
2.7A
Rds On (Max) @ Id, Vgs
105mOhm @ 2.7A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
4.1nC @ 10V
Input cpacance (Ciss) (Max) @ Vds
210pF @ 50V
စွမ်းအင် - Max
1.6W
လည်ပတ်နေသော အပူချိန်
-55°C ~ 150°C (TJ)
တောင်စောင်း အမျိုးအစား
Surface Mount
ပက်ကေ့ / အမှု
8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
ထောက်ပံ့ပေးသူကိရိယာ ပက်ကေ့ခ်ျ
8-SOIC
အခြေခံ ထုတ်ကုန် နံပါတ်
FDS89
ဒေတာရွက်နှင့် құရစာရွက်များ
ဒေတာစာရွက်များ
HTML ဒေတာရှက်
ထပ်ဆောင်းအချက်အလက်
အခြားအမည်များ
FDS89161TR
FDS89161CT
FDS89161DKR
စံချိန်တင် ပက်ကေ့ခ်ျ
2,500
ပတ်ဝန်းကျင်နှင့် နဲ့ကုန်ထုတ်လုပ်မှုအနှိပ် အမျိုးအစား
RoHS အခြေအနေ
ROHS3 Compliant
စိုထိုင်းမှုအာရုံခံမှု အဆင့် (MSL)
1 (Unlimited)
အခြေအနေ
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
DIGI Certification
သက်ဆိုင်ရာ မူလရောင်းအားများ
FDC6301N_G
MOSFET 2N-CH 25V 0.22A SSOT6
FDG6308P
MOSFET 2P-CH 20V 600MA SC88
FDME1034CZT
MOSFET N/P-CH 20V 3.8A 6MICROFET