ထုတ်လုပ်သူထုတ်ကုန်နံပါတ်:
FDS6670A
Product Overview
ထုတ်လုပ်သူ:
onsemi
အပိုင်းနံပါတ်:
FDS6670A-DG
ဖေါ်ပြချက်:
MOSFET N-CH 30V 13A 8SOIC
အသေးစိတ်ဖေါ်ပြချက်:
N-Channel 30 V 13A (Ta) 2.5W (Ta) Surface Mount 8-SOIC
စာရင်းထည့်သွင်းမှု:
7202 ပစ္စည်း အသစ် မူရင်း ရှိသည်
12838859
ဈေးနှုန်းတောင်းဆိုပါ
ပမာဏ
အနိမ့္ဆုံး ၁
အနိမ့္ဆုံး ၁
Qo50
(*) တစုံတရာအရေးပါသည်
ကျွန်ုပ်တို့သည် ၂၄ နာရီအတွင်း သင်နှင့် ပြန်လိုက်မည်
ကျွန်ုပ်တို့သည် ၂၄ နာရီအတွင်း သင်နှင့် ပြန်လိုက်မည်
တင်သွင်းမည်
FDS6670A နည်းပညာအထူးပြုချက်များ
အမျိုးအစား
FETs, MOSFETs, အထူး FETs, MOSFETs
ထုတ်လုပ်သူ
onsemi
ထုပ်ပိုးခြင်း
Tape & Reel (TR)
စီးရီးများ
PowerTrench®
ထုတ်ကုန်အခြေအနေ
Active
FET အမျိုးအစား
N-Channel
နည်းပညာ
MOSFET (Metal Oxide)
ရင်းမြစ် ဗောင့် (Vds) သို့ ထုတ်ယူပါ
30 V
လက်ရှိ - အဆက်မပြတ် ဒရင်း (id) @ 25°C
13A (Ta)
Drive Voltage (Max RdsOn, Max RdsOn)
4.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
8mOhm @ 13A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
3V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
30 nC @ 5 V
Vggs (Max)
±20V
Input cpacance (Ciss) (Max) @ Vds
2220 pF @ 15 V
FET အသွင်အပြင်
-
လျှပ်စစ်ဓာတ်အား ပြတ်တောက်ခြင်း (မက်စ်)
2.5W (Ta)
လည်ပတ်နေသော အပူချိန်
-55°C ~ 150°C (TJ)
တောင်စောင်း အမျိုးအစား
Surface Mount
ထောက်ပံ့ပေးသူကိရိယာ ပက်ကေ့ခ်ျ
8-SOIC
ပက်ကေ့ / အမှု
8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
အခြေခံ ထုတ်ကုန် နံပါတ်
FDS6670
ဒေတာရွက်နှင့် құရစာရွက်များ
ဒေတာစာရွက်များ
HTML ဒေတာရှက်
ထပ်ဆောင်းအချက်အလက်
အခြားအမည်များ
FDS6670ADKR
FDS6670ACT-NDR
2166-FDS6670A-488
FDS6670ATR-NDR
FDS6670ATR
FDS6670ACT
စံချိန်တင် ပက်ကေ့ခ်ျ
2,500
ပတ်ဝန်းကျင်နှင့် နဲ့ကုန်ထုတ်လုပ်မှုအနှိပ် အမျိုးအစား
RoHS အခြေအနေ
ROHS3 Compliant
စိုထိုင်းမှုအာရုံခံမှု အဆင့် (MSL)
1 (Unlimited)
အခြေအနေ
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
DIGI Certification
သက်ဆိုင်ရာ မူလရောင်းအားများ
FDD3682
MOSFET N-CH 100V 5.5/32A TO252AA
FQPF5N50CT
MOSFET N-CH 500V 5A TO220F
FDD86102LZ
MOSFET N-CH 100V 8A/35A DPAK
