ထုတ်လုပ်သူထုတ်ကုန်နံပါတ်:
FDN5618P
Product Overview
ထုတ်လုပ်သူ:
onsemi
အပိုင်းနံပါတ်:
FDN5618P-DG
ဖေါ်ပြချက်:
MOSFET P-CH 60V 1.25A SUPERSOT3
အသေးစိတ်ဖေါ်ပြချက်:
P-Channel 60 V 1.25A (Ta) 500mW (Ta) Surface Mount SOT-23-3
စာရင်းထည့်သွင်းမှု:
31131 ပစ္စည်း အသစ် မူရင်း ရှိသည်
12846740
ဈေးနှုန်းတောင်းဆိုပါ
ပမာဏ
အနိမ့္ဆုံး ၁
အနိမ့္ဆုံး ၁
(*) တစုံတရာအရေးပါသည်
ကျွန်ုပ်တို့သည် ၂၄ နာရီအတွင်း သင်နှင့် ပြန်လိုက်မည်
ကျွန်ုပ်တို့သည် ၂၄ နာရီအတွင်း သင်နှင့် ပြန်လိုက်မည်
တင်သွင်းမည်
FDN5618P နည်းပညာအထူးပြုချက်များ
အမျိုးအစား
FETs, MOSFETs, အထူး FETs, MOSFETs
ထုတ်လုပ်သူ
onsemi
ထုပ်ပိုးခြင်း
Tape & Reel (TR)
စီးရီးများ
PowerTrench®
ထုတ်ကုန်အခြေအနေ
Active
FET အမျိုးအစား
P-Channel
နည်းပညာ
MOSFET (Metal Oxide)
ရင်းမြစ် ဗောင့် (Vds) သို့ ထုတ်ယူပါ
60 V
လက်ရှိ - အဆက်မပြတ် ဒရင်း (id) @ 25°C
1.25A (Ta)
Drive Voltage (Max RdsOn, Max RdsOn)
4.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
170mOhm @ 1.25A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
3V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
13.8 nC @ 10 V
Vggs (Max)
±20V
Input cpacance (Ciss) (Max) @ Vds
430 pF @ 30 V
FET အသွင်အပြင်
-
လျှပ်စစ်ဓာတ်အား ပြတ်တောက်ခြင်း (မက်စ်)
500mW (Ta)
လည်ပတ်နေသော အပူချိန်
-55°C ~ 150°C (TJ)
တောင်စောင်း အမျိုးအစား
Surface Mount
ထောက်ပံ့ပေးသူကိရိယာ ပက်ကေ့ခ်ျ
SOT-23-3
ပက်ကေ့ / အမှု
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
အခြေခံ ထုတ်ကုန် နံပါတ်
FDN5618
ဒေတာရွက်နှင့် құရစာရွက်များ
ဒေတာစာရွက်များ
HTML ဒေတာရှက်
ထပ်ဆောင်းအချက်အလက်
အခြားအမည်များ
FDN5618PCT
2832-FDN5618PTR
FDN5618PDKR
FDN5618PTR
စံချိန်တင် ပက်ကေ့ခ်ျ
3,000
ပတ်ဝန်းကျင်နှင့် နဲ့ကုန်ထုတ်လုပ်မှုအနှိပ် အမျိုးအစား
RoHS အခြေအနေ
ROHS3 Compliant
စိုထိုင်းမှုအာရုံခံမှု အဆင့် (MSL)
1 (Unlimited)
အခြေအနေ
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.21.0095
DIGI Certification
သက်ဆိုင်ရာ မူလရောင်းအားများ
FDMS86255
MOSFET N-CH 150V 10A/45A POWER56
IPA80R600P7XKSA1
MOSFET N-CHANNEL 800V 8A TO220
FQD8P10TM_SB82052
MOSFET P-CH 100V 6.6A DPAK
