ထုတ်လုပ်သူထုတ်ကုန်နံပါတ်:
FDN308P
Product Overview
ထုတ်လုပ်သူ:
onsemi
အပိုင်းနံပါတ်:
FDN308P-DG
ဖေါ်ပြချက်:
MOSFET P-CH 20V 1.5A SUPERSOT3
အသေးစိတ်ဖေါ်ပြချက်:
P-Channel 20 V 1.5A (Ta) 500mW (Ta) Surface Mount SOT-23-3
စာရင်းထည့်သွင်းမှု:
3584 ပစ္စည်း အသစ် မူရင်း ရှိသည်
12839527
ဈေးနှုန်းတောင်းဆိုပါ
ပမာဏ
အနိမ့္ဆုံး ၁
အနိမ့္ဆုံး ၁
xFvB
(*) တစုံတရာအရေးပါသည်
ကျွန်ုပ်တို့သည် ၂၄ နာရီအတွင်း သင်နှင့် ပြန်လိုက်မည်
ကျွန်ုပ်တို့သည် ၂၄ နာရီအတွင်း သင်နှင့် ပြန်လိုက်မည်
တင်သွင်းမည်
FDN308P နည်းပညာအထူးပြုချက်များ
အမျိုးအစား
FETs, MOSFETs, အထူး FETs, MOSFETs
ထုတ်လုပ်သူ
onsemi
ထုပ်ပိုးခြင်း
Tape & Reel (TR)
စီးရီးများ
PowerTrench®
ထုတ်ကုန်အခြေအနေ
Active
FET အမျိုးအစား
P-Channel
နည်းပညာ
MOSFET (Metal Oxide)
ရင်းမြစ် ဗောင့် (Vds) သို့ ထုတ်ယူပါ
20 V
လက်ရှိ - အဆက်မပြတ် ဒရင်း (id) @ 25°C
1.5A (Ta)
Drive Voltage (Max RdsOn, Max RdsOn)
2.5V, 4.5V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
125mOhm @ 1.5A, 4.5V
Vgs(th) (Max) @ Id
1.5V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
5.4 nC @ 4.5 V
Vggs (Max)
±12V
Input cpacance (Ciss) (Max) @ Vds
341 pF @ 10 V
FET အသွင်အပြင်
-
လျှပ်စစ်ဓာတ်အား ပြတ်တောက်ခြင်း (မက်စ်)
500mW (Ta)
လည်ပတ်နေသော အပူချိန်
-55°C ~ 150°C (TJ)
တောင်စောင်း အမျိုးအစား
Surface Mount
ထောက်ပံ့ပေးသူကိရိယာ ပက်ကေ့ခ်ျ
SOT-23-3
ပက်ကေ့ / အမှု
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
အခြေခံ ထုတ်ကုန် နံပါတ်
FDN308
ဒေတာရွက်နှင့် құရစာရွက်များ
ဒေတာစာရွက်များ
HTML ဒေတာရှက်
ထပ်ဆောင်းအချက်အလက်
အခြားအမည်များ
FDN308P-DG
FDN308PFSCT
2156-FDN308P-OS
FDN308PFSTR
FDN308PFSDKR
ONSFSCFDN308P
စံချိန်တင် ပက်ကေ့ခ်ျ
3,000
ပတ်ဝန်းကျင်နှင့် နဲ့ကုန်ထုတ်လုပ်မှုအနှိပ် အမျိုးအစား
RoHS အခြေအနေ
ROHS3 Compliant
စိုထိုင်းမှုအာရုံခံမှု အဆင့် (MSL)
1 (Unlimited)
အခြေအနေ
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.21.0095
DIGI Certification
သက်ဆိုင်ရာ မူလရောင်းအားများ
IRLS630A
MOSFET N-CH 200V 6.5A TO220-3
62-0218PBF
MOSFET P-CH 30V 9.2A 8-SO
2SK302200L
MOSFET N-CH 60V 5A U-G2