ထုတ်လုပ်သူထုတ်ကုန်နံပါတ်:
FDMS86200
Product Overview
ထုတ်လုပ်သူ:
onsemi
အပိုင်းနံပါတ်:
FDMS86200-DG
ဖေါ်ပြချက်:
MOSFET N-CH 150V 9.6A/35A 8PQFN
အသေးစိတ်ဖေါ်ပြချက်:
N-Channel 150 V 9.6A (Ta), 35A (Tc) 2.5W (Ta), 104W (Tc) Surface Mount 8-PQFN (5x6)
စာရင်းထည့်သွင်းမှု:
21294 ပစ္စည်း အသစ် မူရင်း ရှိသည်
12847284
ဈေးနှုန်းတောင်းဆိုပါ
ပမာဏ
အနိမ့္ဆုံး ၁
အနိမ့္ဆုံး ၁
XhsK
(*) တစုံတရာအရေးပါသည်
ကျွန်ုပ်တို့သည် ၂၄ နာရီအတွင်း သင်နှင့် ပြန်လိုက်မည်
ကျွန်ုပ်တို့သည် ၂၄ နာရီအတွင်း သင်နှင့် ပြန်လိုက်မည်
တင်သွင်းမည်
FDMS86200 နည်းပညာအထူးပြုချက်များ
အမျိုးအစား
FETs, MOSFETs, အထူး FETs, MOSFETs
ထုတ်လုပ်သူ
onsemi
ထုပ်ပိုးခြင်း
Tape & Reel (TR)
စီးရီးများ
PowerTrench®
ထုတ်ကုန်အခြေအနေ
Active
FET အမျိုးအစား
N-Channel
နည်းပညာ
MOSFET (Metal Oxide)
ရင်းမြစ် ဗောင့် (Vds) သို့ ထုတ်ယူပါ
150 V
လက်ရှိ - အဆက်မပြတ် ဒရင်း (id) @ 25°C
9.6A (Ta), 35A (Tc)
Drive Voltage (Max RdsOn, Max RdsOn)
6V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
18mOhm @ 9.6A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
46 nC @ 10 V
Vggs (Max)
±20V
Input cpacance (Ciss) (Max) @ Vds
2715 pF @ 75 V
FET အသွင်အပြင်
-
လျှပ်စစ်ဓာတ်အား ပြတ်တောက်ခြင်း (မက်စ်)
2.5W (Ta), 104W (Tc)
လည်ပတ်နေသော အပူချိန်
-55°C ~ 150°C (TJ)
တောင်စောင်း အမျိုးအစား
Surface Mount
ထောက်ပံ့ပေးသူကိရိယာ ပက်ကေ့ခ်ျ
8-PQFN (5x6)
ပက်ကေ့ / အမှု
8-PowerTDFN
အခြေခံ ထုတ်ကုန် နံပါတ်
FDMS86
ဒေတာရွက်နှင့် құရစာရွက်များ
ဒေတာစာရွက်များ
HTML ဒေတာရှက်
ထပ်ဆောင်းအချက်အလက်
အခြားအမည်များ
2156-FDMS86200-488
FDMS86200DKR
2832-FDMS86200-488
FDMS86200TR
FDMS86200CT
2832-FDMS86200TR
စံချိန်တင် ပက်ကေ့ခ်ျ
3,000
ပတ်ဝန်းကျင်နှင့် နဲ့ကုန်ထုတ်လုပ်မှုအနှိပ် အမျိုးအစား
RoHS အခြေအနေ
ROHS3 Compliant
စိုထိုင်းမှုအာရုံခံမှု အဆင့် (MSL)
1 (Unlimited)
အခြေအနေ
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
DIGI Certification
သက်ဆိုင်ရာ မူလရောင်းအားများ
NVMFS5A140PLZWFT1G
MOSFET P-CH 40V 20A/140A 5DFN
FDC655BN
MOSFET N-CH 30V 6.3A SUPERSOT6
FDD18N20LZ
MOSFET N-CH 200V 16A DPAK
