ထုတ်လုပ်သူထုတ်ကုန်နံပါတ်:
FDMJ1032C
Product Overview
ထုတ်လုပ်သူ:
onsemi
အပိုင်းနံပါတ်:
FDMJ1032C-DG
ဖေါ်ပြချက်:
MOSFET N/P-CH 20V 3.2A/2.5A SC75
အသေးစိတ်ဖေါ်ပြချက်:
Mosfet Array 20V 3.2A, 2.5A 800mW Surface Mount SC-75, MicroFET
စာရင်းထည့်သွင်းမှု:
12837401
ဈေးနှုန်းတောင်းဆိုပါ
ပမာဏ
အနိမ့္ဆုံး ၁
အနိမ့္ဆုံး ၁
ncWL
(*) တစုံတရာအရေးပါသည်
ကျွန်ုပ်တို့သည် ၂၄ နာရီအတွင်း သင်နှင့် ပြန်လိုက်မည်
ကျွန်ုပ်တို့သည် ၂၄ နာရီအတွင်း သင်နှင့် ပြန်လိုက်မည်
တင်သွင်းမည်
FDMJ1032C နည်းပညာအထူးပြုချက်များ
အမျိုးအစား
FETs, MOSFETs, FET, MOSFET အစုများ
ထုတ်လုပ်သူ
onsemi
ထုပ်ပိုးခြင်း
-
စီးရီးများ
PowerTrench®
ထုတ်ကုန်အခြေအနေ
Obsolete
နည်းပညာ
MOSFET (Metal Oxide)
ဖွဲ့စည်းတည်ဆောက်ခြင်း
N and P-Channel
FET အသွင်အပြင်
Logic Level Gate
ရင်းမြစ် ဗောင့် (Vds) သို့ ထုတ်ယူပါ
20V
လက်ရှိ - အဆက်မပြတ် ဒရင်း (id) @ 25°C
3.2A, 2.5A
Rds On (Max) @ Id, Vgs
90mOhm @ 3.2A, 4.5V
Vgs(th) (Max) @ Id
1.5V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
3nC @ 4.5V
Input cpacance (Ciss) (Max) @ Vds
270pF @ 10V
စွမ်းအင် - Max
800mW
လည်ပတ်နေသော အပူချိန်
-55°C ~ 150°C (TJ)
တောင်စောင်း အမျိုးအစား
Surface Mount
ပက်ကေ့ / အမှု
6-WFDFN Exposed Pad
ထောက်ပံ့ပေးသူကိရိယာ ပက်ကေ့ခ်ျ
SC-75, MicroFET
အခြေခံ ထုတ်ကုန် နံပါတ်
FDMJ1032
ထပ်ဆောင်းအချက်အလက်
အခြားအမည်များ
FDMJ1032CCT
FDMJ1032CDKR
FDMJ1032CTR
စံချိန်တင် ပက်ကေ့ခ်ျ
3,000
ပတ်ဝန်းကျင်နှင့် နဲ့ကုန်ထုတ်လုပ်မှုအနှိပ် အမျိုးအစား
စိုထိုင်းမှုအာရုံခံမှု အဆင့် (MSL)
1 (Unlimited)
အခြေအနေ
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.21.0095
DIGI Certification
သက်ဆိုင်ရာ မူလရောင်းအားများ
BUK9K5R6-30EX
MOSFET 2N-CH 30V 40A LFPAK56D
FDW2503N
MOSFET 2N-CH 20V 5.5A 8TSSOP
EFC4627R-TR
MOSFET 2N-CH 12V 6A 4EFCP
