ထုတ်လုပ်သူထုတ်ကုန်နံပါတ်:
FDFMA2P857
Product Overview
ထုတ်လုပ်သူ:
onsemi
အပိုင်းနံပါတ်:
FDFMA2P857-DG
ဖေါ်ပြချက်:
MOSFET P-CH 20V 3A 6MICROFET
အသေးစိတ်ဖေါ်ပြချက်:
P-Channel 20 V 3A (Ta) 1.4W (Ta) Surface Mount 6-MicroFET (2x2)
စာရင်းထည့်သွင်းမှု:
12840043
ဈေးနှုန်းတောင်းဆိုပါ
ပမာဏ
အနိမ့္ဆုံး ၁
အနိမ့္ဆုံး ၁
TZ7I
(*) တစုံတရာအရေးပါသည်
ကျွန်ုပ်တို့သည် ၂၄ နာရီအတွင်း သင်နှင့် ပြန်လိုက်မည်
ကျွန်ုပ်တို့သည် ၂၄ နာရီအတွင်း သင်နှင့် ပြန်လိုက်မည်
တင်သွင်းမည်
FDFMA2P857 နည်းပညာအထူးပြုချက်များ
အမျိုးအစား
FETs, MOSFETs, အထူး FETs, MOSFETs
ထုတ်လုပ်သူ
onsemi
ထုပ်ပိုးခြင်း
-
စီးရီးများ
PowerTrench®
ထုတ်ကုန်အခြေအနေ
Obsolete
FET အမျိုးအစား
P-Channel
နည်းပညာ
MOSFET (Metal Oxide)
ရင်းမြစ် ဗောင့် (Vds) သို့ ထုတ်ယူပါ
20 V
လက်ရှိ - အဆက်မပြတ် ဒရင်း (id) @ 25°C
3A (Ta)
Drive Voltage (Max RdsOn, Max RdsOn)
1.8V, 4.5V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
120mOhm @ 3A, 4.5V
Vgs(th) (Max) @ Id
1.3V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
6 nC @ 4.5 V
Vggs (Max)
±8V
Input cpacance (Ciss) (Max) @ Vds
435 pF @ 10 V
FET အသွင်အပြင်
Schottky Diode (Isolated)
လျှပ်စစ်ဓာတ်အား ပြတ်တောက်ခြင်း (မက်စ်)
1.4W (Ta)
လည်ပတ်နေသော အပူချိန်
-55°C ~ 150°C (TJ)
တောင်စောင်း အမျိုးအစား
Surface Mount
ထောက်ပံ့ပေးသူကိရိယာ ပက်ကေ့ခ်ျ
6-MicroFET (2x2)
ပက်ကေ့ / အမှု
6-VDFN Exposed Pad
အခြေခံ ထုတ်ကုန် နံပါတ်
FDFMA2
ဒေတာရွက်နှင့် құရစာရွက်များ
ဒေတာစာရွက်များ
HTML ဒေတာရှက်
ထပ်ဆောင်းအချက်အလက်
အခြားအမည်များ
FDFMA2P857CT
FDFMA2P857TR
FDFMA2P857DKR
စံချိန်တင် ပက်ကေ့ခ်ျ
3,000
ပတ်ဝန်းကျင်နှင့် နဲ့ကုန်ထုတ်လုပ်မှုအနှိပ် အမျိုးအစား
စိုထိုင်းမှုအာရုံခံမှု အဆင့် (MSL)
1 (Unlimited)
အခြေအနေ
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
အခြားမော်ဒယ်များ
အစိတ်အပိုင်းနံပါတ်
NTHD3101FT1G
ထုတ်လုပ်သူ
onsemi
ရရှိနိုင်သည့် အရေအတွက်
3000
DiGi အပိုင်းအမှတ်
NTHD3101FT1G-DG
ယူနစ်စျေးနှုန်း
0.45
အစားထိုး အမျိုးအစား
Similar
DIGI Certification
သက်ဆိုင်ရာ မူလရောင်းအားများ
NTMSD6N303R2
MOSFET N-CH 30V 6A 8SOIC
FCP20N60_G
MOSFET N-CH 600V 20A TO220-3
FDMS86202ET120
MOSFET N-CH 120V 13.5/102A PWR56
