ထုတ်လုပ်သူထုတ်ကုန်နံပါတ်:
IXTQ75N10P
Product Overview
ထုတ်လုပ်သူ:
IXYS
အပိုင်းနံပါတ်:
IXTQ75N10P-DG
ဖေါ်ပြချက်:
MOSFET N-CH 100V 75A TO3P
အသေးစိတ်ဖေါ်ပြချက်:
N-Channel 100 V 75A (Tc) 360W (Tc) Through Hole TO-3P
စာရင်းထည့်သွင်းမှု:
3 ပစ္စည်း အသစ် မူရင်း ရှိသည်
12915039
ဈေးနှုန်းတောင်းဆိုပါ
ပမာဏ
အနိမ့္ဆုံး ၁
အနိမ့္ဆုံး ၁
hESi
(*) တစုံတရာအရေးပါသည်
ကျွန်ုပ်တို့သည် ၂၄ နာရီအတွင်း သင်နှင့် ပြန်လိုက်မည်
ကျွန်ုပ်တို့သည် ၂၄ နာရီအတွင်း သင်နှင့် ပြန်လိုက်မည်
တင်သွင်းမည်
IXTQ75N10P နည်းပညာအထူးပြုချက်များ
အမျိုးအစား
FETs, MOSFETs, အထူး FETs, MOSFETs
ထုတ်လုပ်သူ
Littelfuse
ထုပ်ပိုးခြင်း
Tube
စီးရီးများ
Polar
ထုတ်ကုန်အခြေအနေ
Active
FET အမျိုးအစား
N-Channel
နည်းပညာ
MOSFET (Metal Oxide)
ရင်းမြစ် ဗောင့် (Vds) သို့ ထုတ်ယူပါ
100 V
လက်ရှိ - အဆက်မပြတ် ဒရင်း (id) @ 25°C
75A (Tc)
Drive Voltage (Max RdsOn, Max RdsOn)
10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
25mOhm @ 500mA, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
5.5V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
74 nC @ 10 V
Vggs (Max)
±20V
Input cpacance (Ciss) (Max) @ Vds
2250 pF @ 25 V
FET အသွင်အပြင်
-
လျှပ်စစ်ဓာတ်အား ပြတ်တောက်ခြင်း (မက်စ်)
360W (Tc)
လည်ပတ်နေသော အပူချိန်
-55°C ~ 175°C (TJ)
တောင်စောင်း အမျိုးအစား
Through Hole
ထောက်ပံ့ပေးသူကိရိယာ ပက်ကေ့ခ်ျ
TO-3P
ပက်ကေ့ / အမှု
TO-3P-3, SC-65-3
အခြေခံ ထုတ်ကုန် နံပါတ်
IXTQ75
ဒေတာရွက်နှင့် құရစာရွက်များ
ဒေတာစာရွက်များ
HTML ဒေတာရှက်
ထပ်ဆောင်းအချက်အလက်
စံချိန်တင် ပက်ကေ့ခ်ျ
30
ပတ်ဝန်းကျင်နှင့် နဲ့ကုန်ထုတ်လုပ်မှုအနှိပ် အမျိုးအစား
RoHS အခြေအနေ
ROHS3 Compliant
စိုထိုင်းမှုအာရုံခံမှု အဆင့် (MSL)
1 (Unlimited)
အခြေအနေ
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
DIGI Certification
သက်ဆိုင်ရာ မူလရောင်းအားများ
IXTP27N20T
MOSFET N-CH 200V 27A TO220AB
IRFPF40
MOSFET N-CH 900V 4.7A TO247-3
SIA429DJT-T1-GE3
MOSFET P-CH 20V 12A PPAK SC70-6
