ထုတ်လုပ်သူထုတ်ကုန်နံပါတ်:
IXTA4N65X2
Product Overview
ထုတ်လုပ်သူ:
IXYS
အပိုင်းနံပါတ်:
IXTA4N65X2-DG
ဖေါ်ပြချက်:
MOSFET N-CH 650V 4A TO263
အသေးစိတ်ဖေါ်ပြချက်:
N-Channel 650 V 4A (Tc) 80W (Tc) Surface Mount TO-263
စာရင်းထည့်သွင်းမှု:
35 ပစ္စည်း အသစ် မူရင်း ရှိသည်
12907603
ဈေးနှုန်းတောင်းဆိုပါ
ပမာဏ
အနိမ့္ဆုံး ၁
အနိမ့္ဆုံး ၁
kUUV
(*) တစုံတရာအရေးပါသည်
ကျွန်ုပ်တို့သည် ၂၄ နာရီအတွင်း သင်နှင့် ပြန်လိုက်မည်
ကျွန်ုပ်တို့သည် ၂၄ နာရီအတွင်း သင်နှင့် ပြန်လိုက်မည်
တင်သွင်းမည်
IXTA4N65X2 နည်းပညာအထူးပြုချက်များ
အမျိုးအစား
FETs, MOSFETs, အထူး FETs, MOSFETs
ထုတ်လုပ်သူ
Littelfuse
ထုပ်ပိုးခြင်း
Tube
စီးရီးများ
Ultra X2
ထုတ်ကုန်အခြေအနေ
Active
FET အမျိုးအစား
N-Channel
နည်းပညာ
MOSFET (Metal Oxide)
ရင်းမြစ် ဗောင့် (Vds) သို့ ထုတ်ယူပါ
650 V
လက်ရှိ - အဆက်မပြတ် ဒရင်း (id) @ 25°C
4A (Tc)
Drive Voltage (Max RdsOn, Max RdsOn)
10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
850mOhm @ 2A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
5V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
8.3 nC @ 10 V
Vggs (Max)
±30V
Input cpacance (Ciss) (Max) @ Vds
455 pF @ 25 V
FET အသွင်အပြင်
-
လျှပ်စစ်ဓာတ်အား ပြတ်တောက်ခြင်း (မက်စ်)
80W (Tc)
လည်ပတ်နေသော အပူချိန်
-55°C ~ 150°C (TJ)
တောင်စောင်း အမျိုးအစား
Surface Mount
ထောက်ပံ့ပေးသူကိရိယာ ပက်ကေ့ခ်ျ
TO-263
ပက်ကေ့ / အမှု
TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
အခြေခံ ထုတ်ကုန် နံပါတ်
IXTA4
ဒေတာရွက်နှင့် құရစာရွက်များ
ထပ်ဆောင်းအချက်အလက်
စံချိန်တင် ပက်ကေ့ခ်ျ
50
ပတ်ဝန်းကျင်နှင့် နဲ့ကုန်ထုတ်လုပ်မှုအနှိပ် အမျိုးအစား
RoHS အခြေအနေ
ROHS3 Compliant
စိုထိုင်းမှုအာရုံခံမှု အဆင့် (MSL)
1 (Unlimited)
အခြေအနေ
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
အခြားမော်ဒယ်များ
အစိတ်အပိုင်းနံပါတ်
R6007KNJTL
ထုတ်လုပ်သူ
Rohm Semiconductor
ရရှိနိုင်သည့် အရေအတွက်
17
DiGi အပိုင်းအမှတ်
R6007KNJTL-DG
ယူနစ်စျေးနှုန်း
0.74
အစားထိုး အမျိုးအစား
Similar
အစိတ်အပိုင်းနံပါတ်
R6007ENJTL
ထုတ်လုပ်သူ
Rohm Semiconductor
ရရှိနိုင်သည့် အရေအတွက်
2
DiGi အပိုင်းအမှတ်
R6007ENJTL-DG
ယူနစ်စျေးနှုန်း
0.74
အစားထိုး အမျိုးအစား
Similar
DIGI Certification
သက်ဆိုင်ရာ မူလရောင်းအားများ
IRF9620
MOSFET P-CH 200V 3.5A TO220AB
IXFB120N50P2
MOSFET N-CH 500V 120A PLUS264
IRFBC30STRLPBF
MOSFET N-CH 600V 3.6A D2PAK
