ထုတ်လုပ်သူထုတ်ကုန်နံပါတ်:
IXFT58N20
Product Overview
ထုတ်လုပ်သူ:
IXYS
အပိုင်းနံပါတ်:
IXFT58N20-DG
ဖေါ်ပြချက်:
MOSFET N-CH 200V 58A TO268
အသေးစိတ်ဖေါ်ပြချက်:
N-Channel 200 V 58A (Tc) 300W (Tc) Surface Mount TO-268AA
စာရင်းထည့်သွင်းမှု:
12820833
ဈေးနှုန်းတောင်းဆိုပါ
ပမာဏ
အနိမ့္ဆုံး ၁
အနိမ့္ဆုံး ၁
EeaF
(*) တစုံတရာအရေးပါသည်
ကျွန်ုပ်တို့သည် ၂၄ နာရီအတွင်း သင်နှင့် ပြန်လိုက်မည်
ကျွန်ုပ်တို့သည် ၂၄ နာရီအတွင်း သင်နှင့် ပြန်လိုက်မည်
တင်သွင်းမည်
IXFT58N20 နည်းပညာအထူးပြုချက်များ
အမျိုးအစား
FETs, MOSFETs, အထူး FETs, MOSFETs
ထုတ်လုပ်သူ
Littelfuse
ထုပ်ပိုးခြင်း
-
စီးရီးများ
HiPerFET™
ထုတ်ကုန်အခြေအနေ
Active
FET အမျိုးအစား
N-Channel
နည်းပညာ
MOSFET (Metal Oxide)
ရင်းမြစ် ဗောင့် (Vds) သို့ ထုတ်ယူပါ
200 V
လက်ရှိ - အဆက်မပြတ် ဒရင်း (id) @ 25°C
58A (Tc)
Drive Voltage (Max RdsOn, Max RdsOn)
10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
40mOhm @ 29A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4V @ 4mA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
220 nC @ 10 V
Vggs (Max)
±20V
Input cpacance (Ciss) (Max) @ Vds
4400 pF @ 25 V
FET အသွင်အပြင်
-
လျှပ်စစ်ဓာတ်အား ပြတ်တောက်ခြင်း (မက်စ်)
300W (Tc)
လည်ပတ်နေသော အပူချိန်
-55°C ~ 150°C (TJ)
တောင်စောင်း အမျိုးအစား
Surface Mount
ထောက်ပံ့ပေးသူကိရိယာ ပက်ကေ့ခ်ျ
TO-268AA
ပက်ကေ့ / အမှု
TO-268-3, D³Pak (2 Leads + Tab), TO-268AA
အခြေခံ ထုတ်ကုန် နံပါတ်
IXFT58
ဒေတာရွက်နှင့် құရစာရွက်များ
ဒေတာစာရွက်များ
HTML ဒေတာရှက်
ထပ်ဆောင်းအချက်အလက်
စံချိန်တင် ပက်ကေ့ခ်ျ
30
ပတ်ဝန်းကျင်နှင့် နဲ့ကုန်ထုတ်လုပ်မှုအနှိပ် အမျိုးအစား
RoHS အခြေအနေ
ROHS3 Compliant
စိုထိုင်းမှုအာရုံခံမှု အဆင့် (MSL)
1 (Unlimited)
အခြေအနေ
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
DIGI Certification
သက်ဆိုင်ရာ မူလရောင်းအားများ
IXFH28N50Q
MOSFET N-CH 500V 28A TO247AD
IXTH41N25
MOSFET N-CH 250V 41A TO247
IXTR62N15P
MOSFET N-CH 150V 36A ISOPLUS247
