ထုတ်လုပ်သူထုတ်ကုန်နံပါတ်:
IXFN52N100X
Product Overview
ထုတ်လုပ်သူ:
IXYS
အပိုင်းနံပါတ်:
IXFN52N100X-DG
ဖေါ်ပြချက်:
MOSFET N-CH 1000V 44A SOT227B
အသေးစိတ်ဖေါ်ပြချက်:
N-Channel 1000 V 44A (Tc) 830W (Tc) Chassis Mount SOT-227B
စာရင်းထည့်သွင်းမှု:
12907031
ဈေးနှုန်းတောင်းဆိုပါ
ပမာဏ
အနိမ့္ဆုံး ၁
အနိမ့္ဆုံး ၁
gDnF
(*) တစုံတရာအရေးပါသည်
ကျွန်ုပ်တို့သည် ၂၄ နာရီအတွင်း သင်နှင့် ပြန်လိုက်မည်
ကျွန်ုပ်တို့သည် ၂၄ နာရီအတွင်း သင်နှင့် ပြန်လိုက်မည်
တင်သွင်းမည်
IXFN52N100X နည်းပညာအထူးပြုချက်များ
အမျိုးအစား
FETs, MOSFETs, အထူး FETs, MOSFETs
ထုတ်လုပ်သူ
Littelfuse
ထုပ်ပိုးခြင်း
Tube
စီးရီးများ
HiPerFET™, Ultra X
ထုတ်ကုန်အခြေအနေ
Active
FET အမျိုးအစား
N-Channel
နည်းပညာ
MOSFET (Metal Oxide)
ရင်းမြစ် ဗောင့် (Vds) သို့ ထုတ်ယူပါ
1000 V
လက်ရှိ - အဆက်မပြတ် ဒရင်း (id) @ 25°C
44A (Tc)
Drive Voltage (Max RdsOn, Max RdsOn)
10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
125mOhm @ 26A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
6V @ 4mA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
245 nC @ 10 V
Vggs (Max)
±30V
Input cpacance (Ciss) (Max) @ Vds
6725 pF @ 25 V
FET အသွင်အပြင်
-
လျှပ်စစ်ဓာတ်အား ပြတ်တောက်ခြင်း (မက်စ်)
830W (Tc)
လည်ပတ်နေသော အပူချိန်
-55°C ~ 150°C (TJ)
တောင်စောင်း အမျိုးအစား
Chassis Mount
ထောက်ပံ့ပေးသူကိရိယာ ပက်ကေ့ခ်ျ
SOT-227B
ပက်ကေ့ / အမှု
SOT-227-4, miniBLOC
အခြေခံ ထုတ်ကုန် နံပါတ်
IXFN52
ဒေတာရွက်နှင့် құရစာရွက်များ
ဒေတာစာရွက်များ
HTML ဒေတာရှက်
ထပ်ဆောင်းအချက်အလက်
စံချိန်တင် ပက်ကေ့ခ်ျ
10
ပတ်ဝန်းကျင်နှင့် နဲ့ကုန်ထုတ်လုပ်မှုအနှိပ် အမျိုးအစား
RoHS အခြေအနေ
ROHS3 Compliant
စိုထိုင်းမှုအာရုံခံမှု အဆင့် (MSL)
1 (Unlimited)
အခြေအနေ
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
DIGI Certification
သက်ဆိုင်ရာ မူလရောင်းအားများ
IXFA3N80
MOSFET N-CH 800V 3.6A TO263
IRFR9210TR
MOSFET P-CH 200V 1.9A DPAK
IRF9Z34STRLPBF
MOSFET P-CH 60V 18A D2PAK
