ထုတ်လုပ်သူထုတ်ကုန်နံပါတ်:
IXFK48N60P
Product Overview
ထုတ်လုပ်သူ:
IXYS
အပိုင်းနံပါတ်:
IXFK48N60P-DG
ဖေါ်ပြချက်:
MOSFET N-CH 600V 48A TO264AA
အသေးစိတ်ဖေါ်ပြချက်:
N-Channel 600 V 48A (Tc) 830W (Tc) Through Hole TO-264AA (IXFK)
စာရင်းထည့်သွင်းမှု:
12818982
ဈေးနှုန်းတောင်းဆိုပါ
ပမာဏ
အနိမ့္ဆုံး ၁
အနိမ့္ဆုံး ၁
nMY2
(*) တစုံတရာအရေးပါသည်
ကျွန်ုပ်တို့သည် ၂၄ နာရီအတွင်း သင်နှင့် ပြန်လိုက်မည်
ကျွန်ုပ်တို့သည် ၂၄ နာရီအတွင်း သင်နှင့် ပြန်လိုက်မည်
တင်သွင်းမည်
IXFK48N60P နည်းပညာအထူးပြုချက်များ
အမျိုးအစား
FETs, MOSFETs, အထူး FETs, MOSFETs
ထုတ်လုပ်သူ
Littelfuse
ထုပ်ပိုးခြင်း
Tube
စီးရီးများ
HiPerFET™, Polar
ထုတ်ကုန်အခြေအနေ
Active
FET အမျိုးအစား
N-Channel
နည်းပညာ
MOSFET (Metal Oxide)
ရင်းမြစ် ဗောင့် (Vds) သို့ ထုတ်ယူပါ
600 V
လက်ရှိ - အဆက်မပြတ် ဒရင်း (id) @ 25°C
48A (Tc)
Drive Voltage (Max RdsOn, Max RdsOn)
10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
135mOhm @ 500mA, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
5V @ 8mA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
150 nC @ 10 V
Vggs (Max)
±30V
Input cpacance (Ciss) (Max) @ Vds
8860 pF @ 25 V
FET အသွင်အပြင်
-
လျှပ်စစ်ဓာတ်အား ပြတ်တောက်ခြင်း (မက်စ်)
830W (Tc)
လည်ပတ်နေသော အပူချိန်
-55°C ~ 150°C (TJ)
တောင်စောင်း အမျိုးအစား
Through Hole
ထောက်ပံ့ပေးသူကိရိယာ ပက်ကေ့ခ်ျ
TO-264AA (IXFK)
ပက်ကေ့ / အမှု
TO-264-3, TO-264AA
အခြေခံ ထုတ်ကုန် နံပါတ်
IXFK48
ဒေတာရွက်နှင့် құရစာရွက်များ
ဒေတာစာရွက်များ
HTML ဒေတာရှက်
ထပ်ဆောင်းအချက်အလက်
စံချိန်တင် ပက်ကေ့ခ်ျ
25
ပတ်ဝန်းကျင်နှင့် နဲ့ကုန်ထုတ်လုပ်မှုအနှိပ် အမျိုးအစား
RoHS အခြေအနေ
ROHS3 Compliant
စိုထိုင်းမှုအာရုံခံမှု အဆင့် (MSL)
1 (Unlimited)
အခြေအနေ
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
အခြားမော်ဒယ်များ
အစိတ်အပိုင်းနံပါတ်
IPW60R099CPAFKSA1
ထုတ်လုပ်သူ
Infineon Technologies
ရရှိနိုင်သည့် အရေအတွက်
196
DiGi အပိုင်းအမှတ်
IPW60R099CPAFKSA1-DG
ယူနစ်စျေးနှုန်း
4.16
အစားထိုး အမျိုးအစား
Similar
DIGI Certification
သက်ဆိုင်ရာ မူလရောင်းအားများ
IXFK180N10
MOSFET N-CH 100V 180A TO264AA
IXFH100N25P
MOSFET N-CH 250V 100A TO247AD
IXTT1N450HV
MOSFET N-CH 4500V 1A TO268
