ထုတ်လုပ်သူထုတ်ကုန်နံပါတ်:
IXFH50N85X
Product Overview
ထုတ်လုပ်သူ:
IXYS
အပိုင်းနံပါတ်:
IXFH50N85X-DG
ဖေါ်ပြချက်:
MOSFET N-CH 850V 50A TO247
အသေးစိတ်ဖေါ်ပြချက်:
N-Channel 850 V 50A (Tc) 890W (Tc) Through Hole TO-247 (IXTH)
စာရင်းထည့်သွင်းမှု:
1126 ပစ္စည်း အသစ် မူရင်း ရှိသည်
12821192
ဈေးနှုန်းတောင်းဆိုပါ
ပမာဏ
အနိမ့္ဆုံး ၁
အနိမ့္ဆုံး ၁
zCjZ
(*) တစုံတရာအရေးပါသည်
ကျွန်ုပ်တို့သည် ၂၄ နာရီအတွင်း သင်နှင့် ပြန်လိုက်မည်
ကျွန်ုပ်တို့သည် ၂၄ နာရီအတွင်း သင်နှင့် ပြန်လိုက်မည်
တင်သွင်းမည်
IXFH50N85X နည်းပညာအထူးပြုချက်များ
အမျိုးအစား
FETs, MOSFETs, အထူး FETs, MOSFETs
ထုတ်လုပ်သူ
Littelfuse
ထုပ်ပိုးခြင်း
Tube
စီးရီးများ
HiPerFET™, Ultra X
ထုတ်ကုန်အခြေအနေ
Active
FET အမျိုးအစား
N-Channel
နည်းပညာ
MOSFET (Metal Oxide)
ရင်းမြစ် ဗောင့် (Vds) သို့ ထုတ်ယူပါ
850 V
လက်ရှိ - အဆက်မပြတ် ဒရင်း (id) @ 25°C
50A (Tc)
Drive Voltage (Max RdsOn, Max RdsOn)
10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
105mOhm @ 500mA, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
5.5V @ 4mA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
152 nC @ 10 V
Vggs (Max)
±30V
Input cpacance (Ciss) (Max) @ Vds
4480 pF @ 25 V
FET အသွင်အပြင်
-
လျှပ်စစ်ဓာတ်အား ပြတ်တောက်ခြင်း (မက်စ်)
890W (Tc)
လည်ပတ်နေသော အပူချိန်
-55°C ~ 150°C (TJ)
တောင်စောင်း အမျိုးအစား
Through Hole
ထောက်ပံ့ပေးသူကိရိယာ ပက်ကေ့ခ်ျ
TO-247 (IXTH)
ပက်ကေ့ / အမှု
TO-247-3
အခြေခံ ထုတ်ကုန် နံပါတ်
IXFH50
ဒေတာရွက်နှင့် құရစာရွက်များ
ဒေတာစာရွက်များ
HTML ဒေတာရှက်
ထပ်ဆောင်းအချက်အလက်
စံချိန်တင် ပက်ကေ့ခ်ျ
30
ပတ်ဝန်းကျင်နှင့် နဲ့ကုန်ထုတ်လုပ်မှုအနှိပ် အမျိုးအစား
RoHS အခြေအနေ
ROHS3 Compliant
စိုထိုင်းမှုအာရုံခံမှု အဆင့် (MSL)
1 (Unlimited)
အခြေအနေ
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
DIGI Certification
သက်ဆိုင်ရာ မူလရောင်းအားများ
IXTV130N15T
MOSFET N-CH 150V 130A PLUS220
IXFK400N15X3
MOSFET N-CH 150V 400A TO264
IXFT58N20Q
MOSFET N-CH 200V 58A TO268
