ထုတ်လုပ်သူထုတ်ကုန်နံပါတ်:
IRLS3813PBF
Product Overview
ထုတ်လုပ်သူ:
Infineon Technologies
အပိုင်းနံပါတ်:
IRLS3813PBF-DG
ဖေါ်ပြချက်:
MOSFET N-CH 30V 160A D2PAK
အသေးစိတ်ဖေါ်ပြချက်:
N-Channel 30 V 160A (Tc) 195W (Tc) Surface Mount D2PAK
စာရင်းထည့်သွင်းမှု:
12805917
ဈေးနှုန်းတောင်းဆိုပါ
ပမာဏ
အနိမ့္ဆုံး ၁
အနိမ့္ဆုံး ၁
P9Py
(*) တစုံတရာအရေးပါသည်
ကျွန်ုပ်တို့သည် ၂၄ နာရီအတွင်း သင်နှင့် ပြန်လိုက်မည်
ကျွန်ုပ်တို့သည် ၂၄ နာရီအတွင်း သင်နှင့် ပြန်လိုက်မည်
တင်သွင်းမည်
IRLS3813PBF နည်းပညာအထူးပြုချက်များ
အမျိုးအစား
FETs, MOSFETs, အထူး FETs, MOSFETs
ထုတ်လုပ်သူ
Infineon Technologies
ထုပ်ပိုးခြင်း
-
စီးရီးများ
HEXFET®
ထုတ်ကုန်အခြေအနေ
Discontinued at Digi-Key
FET အမျိုးအစား
N-Channel
နည်းပညာ
MOSFET (Metal Oxide)
ရင်းမြစ် ဗောင့် (Vds) သို့ ထုတ်ယူပါ
30 V
လက်ရှိ - အဆက်မပြတ် ဒရင်း (id) @ 25°C
160A (Tc)
Drive Voltage (Max RdsOn, Max RdsOn)
10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
1.95mOhm @ 148A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
2.35V @ 150µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
83 nC @ 4.5 V
Vggs (Max)
±20V
Input cpacance (Ciss) (Max) @ Vds
8020 pF @ 25 V
FET အသွင်အပြင်
-
လျှပ်စစ်ဓာတ်အား ပြတ်တောက်ခြင်း (မက်စ်)
195W (Tc)
လည်ပတ်နေသော အပူချိန်
-55°C ~ 150°C (TJ)
တောင်စောင်း အမျိုးအစား
Surface Mount
ထောက်ပံ့ပေးသူကိရိယာ ပက်ကေ့ခ်ျ
D2PAK
ပက်ကေ့ / အမှု
TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
ဒေတာရွက်နှင့် құရစာရွက်များ
ဒေတာစာရွက်များ
HTML ဒေတာရှက်
ထပ်ဆောင်းအချက်အလက်
အခြားအမည်များ
SP001576946
စံချိန်တင် ပက်ကေ့ခ်ျ
1,000
ပတ်ဝန်းကျင်နှင့် နဲ့ကုန်ထုတ်လုပ်မှုအနှိပ် အမျိုးအစား
RoHS အခြေအနေ
ROHS3 Compliant
စိုထိုင်းမှုအာရုံခံမှု အဆင့် (MSL)
1 (Unlimited)
အခြေအနေ
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
အခြားမော်ဒယ်များ
အစိတ်အပိုင်းနံပါတ်
STB270N4F3
ထုတ်လုပ်သူ
STMicroelectronics
ရရှိနိုင်သည့် အရေအတွက်
3013
DiGi အပိုင်းအမှတ်
STB270N4F3-DG
ယူနစ်စျေးနှုန်း
2.04
အစားထိုး အမျိုးအစား
MFR Recommended
DIGI Certification
သက်ဆိုင်ရာ မူလရောင်းအားများ
IRL3713PBF
MOSFET N-CH 30V 260A TO220AB
IRFSL5615PBF
MOSFET N-CH 150V 33A TO262
IRF8721PBF
MOSFET N-CH 30V 14A 8SO
