ထုတ်လုပ်သူထုတ်ကုန်နံပါတ်:
IRF300P226
Product Overview
ထုတ်လုပ်သူ:
Infineon Technologies
အပိုင်းနံပါတ်:
IRF300P226-DG
ဖေါ်ပြချက်:
MOSFET N-CH 300V 100A TO247AC
အသေးစိတ်ဖေါ်ပြချက်:
N-Channel 300 V 100A (Tc) 556W (Tc) Through Hole TO-247AC
စာရင်းထည့်သွင်းမှု:
958 ပစ္စည်း အသစ် မူရင်း ရှိသည်
12804049
ဈေးနှုန်းတောင်းဆိုပါ
ပမာဏ
အနိမ့္ဆုံး ၁
အနိမ့္ဆုံး ၁
Meeb
(*) တစုံတရာအရေးပါသည်
ကျွန်ုပ်တို့သည် ၂၄ နာရီအတွင်း သင်နှင့် ပြန်လိုက်မည်
ကျွန်ုပ်တို့သည် ၂၄ နာရီအတွင်း သင်နှင့် ပြန်လိုက်မည်
တင်သွင်းမည်
IRF300P226 နည်းပညာအထူးပြုချက်များ
အမျိုးအစား
FETs, MOSFETs, အထူး FETs, MOSFETs
ထုတ်လုပ်သူ
Infineon Technologies
ထုပ်ပိုးခြင်း
Tube
စီးရီးများ
StrongIRFET™
ထုတ်ကုန်အခြေအနေ
Active
FET အမျိုးအစား
N-Channel
နည်းပညာ
MOSFET (Metal Oxide)
ရင်းမြစ် ဗောင့် (Vds) သို့ ထုတ်ယူပါ
300 V
လက်ရှိ - အဆက်မပြတ် ဒရင်း (id) @ 25°C
100A (Tc)
Drive Voltage (Max RdsOn, Max RdsOn)
10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
19mOhm @ 45A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4V @ 270µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
191 nC @ 10 V
Vggs (Max)
±20V
Input cpacance (Ciss) (Max) @ Vds
10030 pF @ 50 V
FET အသွင်အပြင်
-
လျှပ်စစ်ဓာတ်အား ပြတ်တောက်ခြင်း (မက်စ်)
556W (Tc)
လည်ပတ်နေသော အပူချိန်
-55°C ~ 175°C (TJ)
တောင်စောင်း အမျိုးအစား
Through Hole
ထောက်ပံ့ပေးသူကိရိယာ ပက်ကေ့ခ်ျ
TO-247AC
ပက်ကေ့ / အမှု
TO-247-3
အခြေခံ ထုတ်ကုန် နံပါတ်
IRF300
ဒေတာရွက်နှင့် құရစာရွက်များ
ဒေတာစာရွက်များ
HTML ဒေတာရှက်
ထပ်ဆောင်းအချက်အလက်
အခြားအမည်များ
SP001582442
448-IRF300P226
IRF300P226-DG
စံချိန်တင် ပက်ကေ့ခ်ျ
25
ပတ်ဝန်းကျင်နှင့် နဲ့ကုန်ထုတ်လုပ်မှုအနှိပ် အမျိုးအစား
RoHS အခြေအနေ
ROHS3 Compliant
စိုထိုင်းမှုအာရုံခံမှု အဆင့် (MSL)
1 (Unlimited)
အခြေအနေ
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
DIGI Certification
သက်ဆိုင်ရာ မူလရောင်းအားများ
IPN95R1K2P7ATMA1
MOSFET N-CH 950V 6A SOT223
IPA80R1K4P7XKSA1
MOSFET N-CH 800V 4A TO220-3F
IRFR3710ZTRLPBF
MOSFET N-CH 100V 42A DPAK