ထုတ်လုပ်သူထုတ်ကုန်နံပါတ်:
IPP120N06S4H1AKSA2
Product Overview
ထုတ်လုပ်သူ:
Infineon Technologies
အပိုင်းနံပါတ်:
IPP120N06S4H1AKSA2-DG
ဖေါ်ပြချက်:
MOSFET N-CH 60V 120A TO220-3
အသေးစိတ်ဖေါ်ပြချက်:
N-Channel 60 V 120A (Tc) 250W (Tc) Through Hole PG-TO220-3-1
စာရင်းထည့်သွင်းမှု:
12800340
ဈေးနှုန်းတောင်းဆိုပါ
ပမာဏ
အနိမ့္ဆုံး ၁
အနိမ့္ဆုံး ၁
fMwm
(*) တစုံတရာအရေးပါသည်
ကျွန်ုပ်တို့သည် ၂၄ နာရီအတွင်း သင်နှင့် ပြန်လိုက်မည်
ကျွန်ုပ်တို့သည် ၂၄ နာရီအတွင်း သင်နှင့် ပြန်လိုက်မည်
တင်သွင်းမည်
IPP120N06S4H1AKSA2 နည်းပညာအထူးပြုချက်များ
အမျိုးအစား
FETs, MOSFETs, အထူး FETs, MOSFETs
ထုတ်လုပ်သူ
Infineon Technologies
ထုပ်ပိုးခြင်း
-
စီးရီးများ
OptiMOS™
ထုတ်ကုန်အခြေအနေ
Obsolete
FET အမျိုးအစား
N-Channel
နည်းပညာ
MOSFET (Metal Oxide)
ရင်းမြစ် ဗောင့် (Vds) သို့ ထုတ်ယူပါ
60 V
လက်ရှိ - အဆက်မပြတ် ဒရင်း (id) @ 25°C
120A (Tc)
Drive Voltage (Max RdsOn, Max RdsOn)
10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
2.4mOhm @ 100A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4V @ 200µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
270 nC @ 10 V
Vggs (Max)
±20V
Input cpacance (Ciss) (Max) @ Vds
21900 pF @ 25 V
FET အသွင်အပြင်
-
လျှပ်စစ်ဓာတ်အား ပြတ်တောက်ခြင်း (မက်စ်)
250W (Tc)
လည်ပတ်နေသော အပူချိန်
-55°C ~ 175°C (TJ)
အဆင့်
Automotive
အရည်အချင်းပြည့်မီခြင်း
AEC-Q101
တောင်စောင်း အမျိုးအစား
Through Hole
ထောက်ပံ့ပေးသူကိရိယာ ပက်ကေ့ခ်ျ
PG-TO220-3-1
ပက်ကေ့ / အမှု
TO-220-3
အခြေခံ ထုတ်ကုန် နံပါတ်
IPP120N
ဒေတာရွက်နှင့် құရစာရွက်များ
ဒေတာစာရွက်များ
HTML ဒေတာရှက်
ထပ်ဆောင်းအချက်အလက်
အခြားအမည်များ
SP001028780
INFINFIPP120N06S4H1AKSA2
2156-IPP120N06S4H1AKSA2
စံချိန်တင် ပက်ကေ့ခ်ျ
500
ပတ်ဝန်းကျင်နှင့် နဲ့ကုန်ထုတ်လုပ်မှုအနှိပ် အမျိုးအစား
RoHS အခြေအနေ
ROHS3 Compliant
စိုထိုင်းမှုအာရုံခံမှု အဆင့် (MSL)
1 (Unlimited)
အခြေအနေ
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
DIGI Certification
သက်ဆိုင်ရာ မူလရောင်းအားများ
IPB80N06S407ATMA2
MOSFET N-CH 60V 80A TO263-3
IPB80N04S2H4ATMA1
MOSFET N-CH 40V 80A TO263-3
IPF09N03LA G
MOSFET N-CH 25V 50A TO252-3
